Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
FGA25S125P
ON Semiconductor

FGA25S125P

ចំណែកផ្នែក: 6800

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1250V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.35V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TIG052TS-TL-E
ON Semiconductor

TIG052TS-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 6724

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 5.5V @ 2.5V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB30N6S2
ON Semiconductor

FGB30N6S2

ចំណែកផ្នែក: 6838

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 108A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB20N120LWG
ON Semiconductor

NGTB20N120LWG

ចំណែកផ្នែក: 21982

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 192W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB25N120SWG
ON Semiconductor

NGTB25N120SWG

ចំណែកផ្នែក: 15347

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8207ANT4G
ON Semiconductor

NGB8207ANT4G

ចំណែកផ្នែក: 6774

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 365V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 3.7V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TIG067SS-TL-2W
ON Semiconductor

TIG067SS-TL-2W

ចំណែកផ្នែក: 103797

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 5V @ 4V, 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 1.2W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGS15N40LTF
ON Semiconductor

FGS15N40LTF

ចំណែកផ្នែក: 6848

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 130A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 8V @ 4V, 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 2W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB50N60FLWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FLWG

ចំណែកផ្នែក: 6907

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 223W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TIG111BF
ON Semiconductor

TIG111BF

ចំណែកផ្នែក: 5747

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 23A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 92A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 2W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3040P3
ON Semiconductor

ISL9V3040P3

ចំណែកផ្នែក: 33461

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB45N60S1WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S1WG

ចំណែកផ្នែក: 31681

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 90A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S3N60A4DS9A
ON Semiconductor

HGT1S3N60A4DS9A

ចំណែកផ្នែក: 6653

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 17A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 70W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB20N6S2D
ON Semiconductor

FGB20N6S2D

ចំណែកផ្នែក: 6839

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 28A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA25N120FTD
ON Semiconductor

FGA25N120FTD

ចំណែកផ្នែក: 6719

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 313W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3040S3S
ON Semiconductor

ISL9V3040S3S

ចំណែកផ្នែក: 6867

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP30N6S2D
ON Semiconductor

FGP30N6S2D

ចំណែកផ្នែក: 6865

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 108A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TIG066SS-TL-E
ON Semiconductor

TIG066SS-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 6709

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 5V @ 4V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF15N60UNDF
ON Semiconductor

FGPF15N60UNDF

ចំណែកផ្នែក: 46080

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 42W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP30N6S2
ON Semiconductor

FGP30N6S2

ចំណែកផ្នែក: 6861

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 108A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3040G2_SN00297
ON Semiconductor

FGD3040G2_SN00297

ចំណែកផ្នែក: 6856

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3040G2
ON Semiconductor

FGD3040G2

ចំណែកផ្នែក: 6769

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF30N30TDTU
ON Semiconductor

FGPF30N30TDTU

ចំណែកផ្នែក: 6718

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 44.6W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP7N60A4D
ON Semiconductor

HGTP7N60A4D

ចំណែកផ្នែក: 6895

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 34A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB40N6S2
ON Semiconductor

FGB40N6S2

ចំណែកផ្នែក: 6854

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHLWG

ចំណែកផ្នែក: 6720

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG30N60FLWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FLWG

ចំណែកផ្នែក: 22245

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N60EG
ON Semiconductor

NGTB15N60EG

ចំណែកផ្នែក: 46999

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.95V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 117W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N60FLWG
ON Semiconductor

NGTB40N60FLWG

ចំណែកផ្នែក: 17119

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 257W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB75N65FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB75N65FL2WAG

ចំណែកផ្នែក: 17241

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N60SWG
ON Semiconductor

NGTB30N60SWG

ចំណែកផ្នែក: 6761

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 189W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB50N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 15373

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T65UPD
ON Semiconductor

FGH40T65UPD

ចំណែកផ្នែក: 15897

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG30N60A4
ON Semiconductor

HGTG30N60A4

ចំណែកផ្នែក: 10201

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V5036S3ST_SB82170
ON Semiconductor

ISL9V5036S3ST_SB82170

ចំណែកផ្នែក: 6862

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 390V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 46A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S7N60A4DS
ON Semiconductor

HGT1S7N60A4DS

ចំណែកផ្នែក: 6649

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 34A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា