Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
FGA6540WDF
ON Semiconductor

FGA6540WDF

ចំណែកផ្នែក: 25417

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 238W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N120IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 14109

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.55V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 384W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG5N120BND
ON Semiconductor

HGTG5N120BND

ចំណែកផ្នែក: 23888

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 5A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH50N3
ON Semiconductor

FGH50N3

ចំណែកផ្នែក: 11903

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP10N60UNDF
ON Semiconductor

FGP10N60UNDF

ចំណែកផ្នែក: 36448

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 30A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 139W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N65FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 33687

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGAF40N60UFTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 35991

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 100W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V5045S3ST
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST

ចំណែកផ្នែក: 36869

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 480V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 51A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T65UQDF-F155
ON Semiconductor

FGH40T65UQDF-F155

ចំណែកផ្នែក: 2159

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.67V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 231W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB3440G2-F085
ON Semiconductor

FGB3440G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 4330

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 26.9A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.2V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 166W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG20N60A4D
ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

ចំណែកផ្នែក: 14369

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 280A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU-F085

ចំណែកផ្នែក: 2934

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA50N100BNTD2
ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

ចំណែកផ្នែក: 8702

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1000V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB3236-F085
ON Semiconductor

FGB3236-F085

ចំណែកផ្នែក: 349

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 44A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 187W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGAF40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 19234

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 100W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB50N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

ចំណែកផ្នែក: 9959

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB3245G2-F085
ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 305

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 450V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 23A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD20T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

ចំណែកផ្នែក: 31770

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 20A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

ចំណែកផ្នែក: 49912

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 88A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 54W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N120ANTU
ON Semiconductor

FGH40N120ANTU

ចំណែកផ្នែក: 13888

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB20N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 15535

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 384W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGY75N60SMD
ON Semiconductor

FGY75N60SMD

ចំណែកផ្នែក: 11749

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 750W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD17T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD17T65F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 36619

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB20N60SF
ON Semiconductor

FGB20N60SF

ចំណែកផ្នែក: 45142

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP12N60A4D
ON Semiconductor

HGTP12N60A4D

ចំណែកផ្នែក: 43378

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 96A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor

FGP15N60UNDF

ចំណែកផ្នែក: 27550

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 178W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 9534

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 452W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N60SFTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFTU

ចំណែកផ្នែក: 16170

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040S3ST

ចំណែកផ្នែក: 58672

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA40N65SMD
ON Semiconductor

FGA40N65SMD

ចំណែកផ្នែក: 32540

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 349W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH50N6S2D
ON Semiconductor

FGH50N6S2D

ចំណែកផ្នែក: 8377

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG27N120BN
ON Semiconductor

HGTG27N120BN

ចំណែកផ្នែក: 15836

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 72A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 216A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 27A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 20044

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 384W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG10N120BND
ON Semiconductor

HGTG10N120BND

ចំណែកផ្នែក: 19849

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 35A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N60UFTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 32584

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA50T65SHD
ON Semiconductor

FGA50T65SHD

ចំណែកផ្នែក: 20124

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 319W,

បញ្ជីប្រាថ្នា