Menu
CambodiaCambodia
0RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
FGH40T65SPD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F155

ចំណែកផ្នែក: 21639

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 267W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor

HGT1S20N60C3S9A

ចំណែកផ្នែក: 28379

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 164W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA120N30DTU
ON Semiconductor

FGA120N30DTU

ចំណែកផ្នែក: 6590

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MGB15N40CLT4
ON Semiconductor

MGB15N40CLT4

ចំណែកផ្នែក: 6607

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 4V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGD8201NT4
ON Semiconductor

NGD8201NT4

ចំណែកផ្នែក: 6663

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4.5V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGW10N60RUFDTM
ON Semiconductor

SGW10N60RUFDTM

ចំណែកផ្នែក: 6657

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 16A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 30A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 75W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 18740

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 366W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGP6N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP6N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6631

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 25A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 30W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3N60UNDF
ON Semiconductor

FGD3N60UNDF

ចំណែកផ្នែក: 191602

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 9A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.52V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 60W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB5N60UNDF
ON Semiconductor

FGB5N60UNDF

ចំណែកផ្នែក: 65502

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 15A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 5A, ថាមពល - អតិបរមា: 73.5W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6629

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 160W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGH30N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH30N60RUFDTU

ចំណែកផ្នែក: 24034

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 48A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 235W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGD15N41CLT4
ON Semiconductor

NGD15N41CLT4

ចំណែកផ្នែក: 6594

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 107W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N6S2D
ON Semiconductor

FGH40N6S2D

ចំណែកផ្នែក: 6580

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGR2N60UFDTF
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTF

ចំណែកផ្នែក: 6586

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2.4A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 10A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 1.2A, ថាមពល - អតិបរមា: 25W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH50N6S2
ON Semiconductor

FGH50N6S2

ចំណែកផ្នែក: 6596

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB15N41CLT4
ON Semiconductor

NGB15N41CLT4

ចំណែកផ្នែក: 6619

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 107W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG12N60A4
ON Semiconductor

HGTG12N60A4

ចំណែកផ្នែក: 6638

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 96A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8207NT4G
ON Semiconductor

NGB8207NT4G

ចំណែកផ្នែក: 6633

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 365V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 4V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH75T65UPD-F085
ON Semiconductor

FGH75T65UPD-F085

ចំណែកផ្នែក: 6499

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 375W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB25N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WAG

ចំណែកផ្នែក: 20398

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF70N30TTU
ON Semiconductor

FGPF70N30TTU

ចំណែកផ្នែក: 5753

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 49.2W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH75T65SQDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SQDT-F155

ចំណែកផ្នែក: 6523

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 375W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB20N6S2
ON Semiconductor

FGB20N6S2

ចំណែកផ្នែក: 6597

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 28A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGU20N40LTU
ON Semiconductor

SGU20N40LTU

ចំណែកផ្នែក: 6633

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 8V @ 4.5V, 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 45W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA6530WDF
ON Semiconductor

FGA6530WDF

ចំណែកផ្នែក: 31311

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB40N6S2T
ON Semiconductor

FGB40N6S2T

ចំណែកផ្នែក: 6656

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8206NT4
ON Semiconductor

NGB8206NT4

ចំណែកផ្នែក: 6645

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 390V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4.5V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGR6N60UFTM
ON Semiconductor

SGR6N60UFTM

ចំណែកផ្នែក: 5700

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 25A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 30W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA5065ADF
ON Semiconductor

FGA5065ADF

ចំណែកផ្នែក: 20873

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SHD-F155

ចំណែកផ្នែក: 5732

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGP15N41CL
ON Semiconductor

NGP15N41CL

ចំណែកផ្នែក: 6595

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 107W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T65SH-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SH-F155

ចំណែកផ្នែក: 6513

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGY100T65SCDT
ON Semiconductor

FGY100T65SCDT

ចំណែកផ្នែក: 6572

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 750W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA70N30TTU
ON Semiconductor

FGA70N30TTU

ចំណែកផ្នែក: 6635

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 201W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGF23N60UFTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 41664

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 23A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 92A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 75W,

បញ្ជីប្រាថ្នា