Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
SGP15N60RUFTU
ON Semiconductor

SGP15N60RUFTU

ចំណែកផ្នែក: 6613

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 160W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S2N120CN
ON Semiconductor

HGT1S2N120CN

ចំណែកផ្នែក: 6626

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 13A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 2.6A, ថាមពល - អតិបរមា: 104W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGW5N60RUFDTM
ON Semiconductor

SGW5N60RUFDTM

ចំណែកផ្នែក: 6618

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 15A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 5A, ថាមពល - អតិបរមា: 60W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH30N6S2D
ON Semiconductor

FGH30N6S2D

ចំណែកផ្នែក: 6658

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 108A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60N6S2
ON Semiconductor

FGH60N6S2

ចំណែកផ្នែក: 6576

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 320A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA40N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6565

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 160W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3036P3
ON Semiconductor

ISL9V3036P3

ចំណែកផ្នែក: 6611

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF30N45TTU
ON Semiconductor

FGPF30N45TTU

ចំណែកផ្នែក: 6685

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 450V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 50.4W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF50N30TTU
ON Semiconductor

FGPF50N30TTU

ចំណែកផ្នែក: 58620

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 46.8W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB03N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB03N60R2DT4G

ចំណែកផ្នែក: 145587

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 9A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 12A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 49W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH75N60SFTU
ON Semiconductor

FGH75N60SFTU

ចំណែកផ្នែក: 13647

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 452W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP3N60A4D
ON Semiconductor

HGTP3N60A4D

ចំណែកផ្នែក: 51983

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 17A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 70W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP2N120CN
ON Semiconductor

HGTP2N120CN

ចំណែកផ្នែក: 6659

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 13A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 2.6A, ថាមពល - អតិបរមា: 104W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3040D3S
ON Semiconductor

ISL9V3040D3S

ចំណែកផ្នែក: 6572

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH20N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH20N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 25749

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP7N60A4-F102
ON Semiconductor

HGTP7N60A4-F102

ចំណែកផ្នែក: 5646

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 34A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA25N120ANTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTU

ចំណែកផ្នែក: 6592

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 310W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGS23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS23N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 79708

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 23A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 92A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 73W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB18N40CLBT4G
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4G

ចំណែកផ្នែក: 6651

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 18A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 4V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 115W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP7N60B3D
ON Semiconductor

HGTP7N60B3D

ចំណែកផ្នែក: 6665

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 14A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 60W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGP5N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP5N60RUFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6608

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 15A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 5A, ថាមពល - អតិបរមា: 60W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGH15N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH15N60RUFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6670

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 160W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGS13N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS13N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6606

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 13A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 52A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 6.5A, ថាមពល - អតិបរមា: 45W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG11N120CN
ON Semiconductor

HGTG11N120CN

ចំណែកផ្នែក: 5731

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 43A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 11A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF30N30
ON Semiconductor

FGPF30N30

ចំណែកផ្នែក: 6691

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 46W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGP40N60UFTU
ON Semiconductor

SGP40N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 6599

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 160W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGL60N90DG3YDTU
ON Semiconductor

SGL60N90DG3YDTU

ចំណែកផ្នែក: 6595

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 180W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGH40N60UFDM1TU
ON Semiconductor

SGH40N60UFDM1TU

ចំណែកផ្នែក: 6671

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 160W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S14N36G3VLT
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLT

ចំណែកផ្នែក: 6664

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 390V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 18A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 5V, 14A, ថាមពល - អតិបរមា: 100W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGL5N150UFTU
ON Semiconductor

SGL5N150UFTU

ចំណែកផ្នែក: 6598

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 5.5V @ 10V, 5A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA50S110P
ON Semiconductor

FGA50S110P

ចំណែកផ្នែក: 34365

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1100V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG7N60A4D
ON Semiconductor

HGTG7N60A4D

ចំណែកផ្នែក: 36176

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 34A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGS6N60UFDTU
ON Semiconductor

SGS6N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6665

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 25A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 22W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF30N30DTU
ON Semiconductor

FGPF30N30DTU

ចំណែកផ្នែក: 5752

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 46W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V2540S3S
ON Semiconductor

ISL9V2540S3S

ចំណែកផ្នែក: 6626

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15.5A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 166.7W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8202NT4
ON Semiconductor

NGB8202NT4

ចំណែកផ្នែក: 6645

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4.5V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា