Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
NGTB50N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N65FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 14687

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB50N60FWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FWG

ចំណែកផ្នែក: 11089

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 223W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S10N120BNST
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST

ចំណែកផ្នែក: 31860

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 35A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 43676

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

ចំណែកផ្នែក: 13542

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.65V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

ចំណែកផ្នែក: 7369

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH75T65SHDTL4
ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

ចំណែកផ្នែក: 12151

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 455W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD28T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 20638

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3N60LSDTM
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM

ចំណែកផ្នែក: 144068

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 25A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 10V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 40W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N120L3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120L3WG

ចំណែកផ្នែក: 12509

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 454W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH75N60UFTU
ON Semiconductor

FGH75N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 10416

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 452W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH25N120FTDS
ON Semiconductor

FGH25N120FTDS

ចំណែកផ្នែក: 9325

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 313W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N135IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 17791

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1350V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 394W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA15N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA15N120ANTDTU-F109

ចំណែកផ្នែក: 402

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 186W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD28T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD28T65F2WP

ចំណែកផ្នែក: 20854

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

ចំណែកផ្នែក: 22935

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 378W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 256

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 250V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

ចំណែកផ្នែក: 62700

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 54W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

ចំណែកផ្នែក: 37370

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 18097

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 366W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

ចំណែកផ្នែក: 2512

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 333W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA6560WDF
ON Semiconductor

FGA6560WDF

ចំណែកផ្នែក: 18136

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 306W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH12040WD-F155
ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

ចំណែកផ្នែក: 2672

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 428W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T100SMD
ON Semiconductor

FGH40T100SMD

ចំណែកផ្នែក: 13786

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1000V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 333W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA20S140P
ON Semiconductor

FGA20S140P

ចំណែកផ្នែក: 26339

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 272W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA25N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

ចំណែកផ្នែក: 1477

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.65V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 18543

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1350V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.65V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 394W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

ចំណែកផ្នែក: 11394

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 16438

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

ចំណែកផ្នែក: 14704

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1350V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 394W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

ចំណែកផ្នែក: 63148

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 130W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

ចំណែកផ្នែក: 2946

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

ចំណែកផ្នែក: 2948

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG12N60A4D
ON Semiconductor

HGTG12N60A4D

ចំណែកផ្នែក: 27784

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 96A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

ចំណែកផ្នែក: 18131

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGL60N100BNTD
ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

ចំណែកផ្នែក: 11528

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1000V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 180W,

បញ្ជីប្រាថ្នា