Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
FGA40T65SHD
ON Semiconductor

FGA40T65SHD

ចំណែកផ្នែក: 23321

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 11490

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

ចំណែកផ្នែក: 47036

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 117W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGY160T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGY160T65SPD-F085

ចំណែកផ្នែក: 4819

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 240A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 480A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.05V @ 15V, 160A, ថាមពល - អតិបរមា: 882W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N65IHRTG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRTG

ចំណែកផ្នែក: 867

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 405W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 18823

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGA30N60LSDTU

ចំណែកផ្នែក: 19793

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD21T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD21T65F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 28232

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 45A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD14T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD14T65F2WP

ចំណែកផ្នែក: 44197

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB3040G2-F085
ON Semiconductor

FGB3040G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 292

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH75T65SHDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SHDT-F155

ចំណែកផ្នែក: 1512

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 455W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA4060ADF
ON Semiconductor

FGA4060ADF

ចំណែកផ្នែក: 25775

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 238W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB60N65FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 6189

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 595W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB50N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WAG

ចំណែកផ្នែក: 17317

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V5045S3ST-F085
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST-F085

ចំណែកផ្នែក: 281

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 480V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 51A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60N60SFTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFTU

ចំណែកផ្នែក: 15472

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 378W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA40S65SH
ON Semiconductor

FGA40S65SH

ចំណែកផ្នែក: 28712

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.81V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N120S3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120S3WG

ចំណែកផ្នែក: 11383

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.95V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 454W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T120SMD
ON Semiconductor

FGH40T120SMD

ចំណែកផ្នែក: 16633

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 555W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB10N60FG
ON Semiconductor

NGTB10N60FG

ចំណែកផ្នែក: 60662

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 72A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 40W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG20N60B3
ON Semiconductor

HGTG20N60B3

ចំណែកផ្នែក: 20869

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F085

ចំណែកផ្នែក: 2980

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 267W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD30T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD30T120F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 18661

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU-F085

ចំណែកផ្នែក: 2947

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 378W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60N60UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU-F085

ចំណែកផ្នែក: 2221

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA30N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA30N120FTDTU

ចំណែកផ្នែក: 10979

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 339W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA15S125P
ON Semiconductor

FGA15S125P

ចំណែកផ្នែក: 64311

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1250V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.72V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 136W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040D3ST

ចំណែកផ្នែក: 110742

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP7N60A4
ON Semiconductor

HGTP7N60A4

ចំណែកផ្នែក: 63084

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 34A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA25S125P-SN00337
ON Semiconductor

FGA25S125P-SN00337

ចំណែកផ្នែក: 2956

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1250V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.35V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD30T120F2WP

ចំណែកផ្នែក: 18869

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB15N135IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 24545

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1350V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.65V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB75N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N65FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 9489

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 595W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG40N120FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 11911

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 535W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 26893

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 333W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V2540S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2540S3ST

ចំណែកផ្នែក: 61457

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15.5A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 166.7W,

បញ្ជីប្រាថ្នា