Menu
CambodiaCambodia
0RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
NGTG30N60FWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FWG

ចំណែកផ្នែក: 17306

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB05N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB05N60R2DT4G

ចំណែកផ្នែក: 169827

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 16A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 5A, ថាមពល - អតិបរមា: 56W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTB20N60L2TF1G

ចំណែកផ្នែក: 33843

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.65V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 64W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N60IHLWG
ON Semiconductor

NGTB30N60IHLWG

ចំណែកផ្នែក: 22110

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T65SQD_F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

ចំណែកផ្នែក: 6871

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 238W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TIG074E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 104319

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 5.4V @ 2.5V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3N60LSDTM-T
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM-T

ចំណែកផ្នែក: 6852

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 25A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 10V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 40W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP20N60A4
ON Semiconductor

HGTP20N60A4

ចំណែកផ្នែក: 36974

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 280A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGP10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP10N60RUFDTU

ចំណែកផ្នែក: 74706

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 16A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 30A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 75W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N120IHWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHWG

ចំណែកផ្នែក: 6811

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 278W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGP15N41CLG
ON Semiconductor

NGP15N41CLG

ចំណែកផ្នែក: 6854

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 107W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG

ចំណែកផ្នែក: 51621

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 117W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB75N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N60FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 9734

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 595W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8204NT4
ON Semiconductor

NGB8204NT4

ចំណែកផ្នែក: 6877

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 18A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 4V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 115W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA50N60LS
ON Semiconductor

FGA50N60LS

ចំណែកផ្នែក: 6865

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 240W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGP23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP23N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 74718

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 23A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 92A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 100W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N120LWG
ON Semiconductor

NGTB30N120LWG

ចំណែកផ្នែក: 6791

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 560W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH80N60FD2TU
ON Semiconductor

FGH80N60FD2TU

ចំណែកផ្នែក: 15656

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD4536TM_SN00306
ON Semiconductor

FGD4536TM_SN00306

ចំណែកផ្នែក: 6801

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 220A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGL160N60UFDTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 8114

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor

ISL9V5036P3-F085

ចំណែកផ្នែក: 5905

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 390V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 46A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB50N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 7494

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 535W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD4536TM
ON Semiconductor

FGD4536TM

ចំណែកផ្នែក: 6793

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 220A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor

NGTB50N65S1WG

ចំណែកផ្នែក: 30688

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 140A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N60FWG
ON Semiconductor

NGTB30N60FWG

ចំណែកផ្នែក: 5739

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8202NT4G
ON Semiconductor

NGB8202NT4G

ចំណែកផ្នែក: 6729

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4.5V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA70N30TDTU
ON Semiconductor

FGA70N30TDTU

ចំណែកផ្នែក: 6666

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 201W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD2N40L
ON Semiconductor

FGD2N40L

ចំណែកផ្នែក: 6663

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 7A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 29A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 2.4V, 2.5A, ថាមពល - អតិបរមា: 29W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S20N35G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

ចំណែកផ្នែក: 5739

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 375V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 5V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG12N60B3
ON Semiconductor

HGTG12N60B3

ចំណែកផ្នែក: 5662

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 27A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 110A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 104W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGD18N40CLBT4

ចំណែកផ្នែក: 6608

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 4V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 115W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG7N60A4
ON Semiconductor

HGTG7N60A4

ចំណែកផ្នែក: 6602

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 34A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGL40N150DTU
ON Semiconductor

SGL40N150DTU

ចំណែកផ្នែក: 6629

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 4.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 200W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGR2N60UFDTM
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTM

ចំណែកផ្នែក: 6576

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2.4A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 10A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 1.2A, ថាមពល - អតិបរមា: 25W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD5T120SH
ON Semiconductor

FGD5T120SH

ចំណែកផ្នែក: 144045

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 12.5A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.6V @ 15V, 5A, ថាមពល - អតិបរមា: 69W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGL60N100BNTDTU

ចំណែកផ្នែក: 21621

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1000V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 180W,

បញ្ជីប្រាថ្នា