Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
HGTD3N60C3S9A
ON Semiconductor

HGTD3N60C3S9A

ចំណែកផ្នែក: 6573

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 24A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 33W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH20N6S2
ON Semiconductor

FGH20N6S2

ចំណែកផ្នែក: 6613

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 28A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGH80N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 5661

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 220A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 195W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3440G2-F085
ON Semiconductor

FGD3440G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 21532

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 26.9A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.2V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 166W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP20N6S2D
ON Semiconductor

FGP20N6S2D

ចំណែកផ្នែក: 6642

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 28A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA15N120FTDTU
ON Semiconductor

FGA15N120FTDTU

ចំណែកផ្នែក: 5620

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 220W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP10N120BN
ON Semiconductor

HGTP10N120BN

ចំណែកផ្នែក: 41051

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 35A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8206N
ON Semiconductor

NGB8206N

ចំណែកផ្នែក: 6636

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 390V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4.5V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA180N30DTU
ON Semiconductor

FGA180N30DTU

ចំណែកផ្នែក: 6662

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 180A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 450A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S7N60C3DS9A
ON Semiconductor

HGT1S7N60C3DS9A

ចំណែកផ្នែក: 6594

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 14A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 56A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 60W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP12N60C3
ON Semiconductor

HGTP12N60C3

ចំណែកផ្នែក: 6644

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 96A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 104W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGS6N60UFTU
ON Semiconductor

SGS6N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 6598

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 25A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 22W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGR20N40LTF
ON Semiconductor

SGR20N40LTF

ចំណែកផ្នែក: 6621

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 8V @ 4.5V, 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 45W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB25N120IHLWG

ចំណែកផ្នែក: 24017

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 192W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGF23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 6655

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 23A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 92A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 75W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF120N30TU
ON Semiconductor

FGPF120N30TU

ចំណែកផ្នែក: 6635

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 60W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF90N30
ON Semiconductor

FGPF90N30

ចំណែកផ្នែក: 6597

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 220A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.55V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 56.8W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGL40N150TU
ON Semiconductor

SGL40N150TU

ចំណែកផ្នែក: 6631

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 4.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 200W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB30N6S2D
ON Semiconductor

FGB30N6S2D

ចំណែកផ្នែក: 6628

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 108A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGB18N40CLBT4

ចំណែកផ្នែក: 5727

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 18A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 4V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 115W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGR15N40LTM
ON Semiconductor

SGR15N40LTM

ចំណែកផ្នែក: 6637

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 130A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 8V @ 4.5V, 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 45W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3036S3S
ON Semiconductor

ISL9V3036S3S

ចំណែកផ្នែក: 6651

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V2040P3
ON Semiconductor

ISL9V2040P3

ចំណែកផ្នែក: 6592

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 130W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB35N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N60FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 33733

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB10N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB10N60R2DT4G

ចំណែកផ្នែក: 119694

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 72W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF30N30TTU
ON Semiconductor

FGPF30N30TTU

ចំណែកផ្នែក: 6650

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.5V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 44.6W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S10N120BNS
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNS

ចំណែកផ្នែក: 22373

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 35A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB30N6S2T
ON Semiconductor

FGB30N6S2T

ចំណែកផ្នែក: 6578

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 108A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 167W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGPF7N60LSDTU
ON Semiconductor

FGPF7N60LSDTU

ចំណែកផ្នែក: 6697

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 14A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 45W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA90N33ATDTU
ON Semiconductor

FGA90N33ATDTU

ចំណែកផ្នែក: 196806

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 330V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 90A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 330A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 223W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB40N60SM
ON Semiconductor

FGB40N60SM

ចំណែកផ្នែក: 32395

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 349W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGB8204NT4G
ON Semiconductor

NGB8204NT4G

ចំណែកផ្នែក: 5688

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 18A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 4V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 115W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGI3040G2-F085
ON Semiconductor

FGI3040G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 6451

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S14N36G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLS

ចំណែកផ្នែក: 6647

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 390V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 18A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 5V, 14A, ថាមពល - អតិបរមា: 100W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGT1S20N36G3VL
ON Semiconductor

HGT1S20N36G3VL

ចំណែកផ្នែក: 6649

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 395V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 37.7A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 5V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGH80N60UFTU
ON Semiconductor

SGH80N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 6614

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 220A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 195W,

បញ្ជីប្រាថ្នា