Menu
CambodiaCambodia
0RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
NGTB40N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

ចំណែកផ្នែក: 15225

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

ចំណែកផ្នែក: 28668

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 45A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA30S120P
ON Semiconductor

FGA30S120P

ចំណែកផ្នែក: 11061

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1300V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 348W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

ចំណែកផ្នែក: 36618

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 105A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.65V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 64W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGI3236-F085
ON Semiconductor

FGI3236-F085

ចំណែកផ្នែក: 2622

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 44A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 187W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

ចំណែកផ្នែក: 57552

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 7703

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 535W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGS10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS10N60RUFDTU

ចំណែកផ្នែក: 30705

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 16A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 30A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 55W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGAF40N60SMD
ON Semiconductor

FGAF40N60SMD

ចំណែកផ្នែក: 15222

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 115W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N60SMD
ON Semiconductor

FGH40N60SMD

ចំណែកផ្នែក: 22404

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 349W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH25T120SMD-F155

ចំណែកផ្នែក: 1603

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 428W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor

HGTG30N60C3D

ចំណែកផ្នែក: 10243

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 63A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 252A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG25N120FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 20366

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH15T120SMD-F155

ចំណែកផ្នែក: 2318

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 333W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB3040CS
ON Semiconductor

FGB3040CS

ចំណែកផ្នែក: 33497

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGL12040WD
ON Semiconductor

FGL12040WD

ចំណែកផ្នែក: 12525

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 391W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP3N60A4
ON Semiconductor

HGTP3N60A4

ចំណែកផ្នែក: 56586

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 17A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 3A, ថាមពល - អតិបរមា: 70W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor

FGB7N60UNDF

ចំណែកផ្នែក: 54229

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 14A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 83W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH50T65UPD
ON Semiconductor

FGH50T65UPD

ចំណែកផ្នែក: 13856

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 2590

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

ចំណែកផ្នែក: 15833

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.61V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

ចំណែកផ្នែក: 17142

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 24869

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 294W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

ចំណែកផ្នែក: 11041

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 96A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 104W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB20N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N135IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 14414

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1350V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.65V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 394W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP5N60LS
ON Semiconductor

FGP5N60LS

ចំណែកផ្នែក: 82176

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 36A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 12V, 14A, ថាមពល - អតិបរមា: 83W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGY40T120SMD
ON Semiconductor

FGY40T120SMD

ចំណែកផ្នែក: 8802

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 882W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD13T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD13T65F2WP

ចំណែកផ្នែក: 44207

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB25N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

ចំណែកផ្នែក: 15023

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 349W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD23T120F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 24513

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N120L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120L2WG

ចំណែកផ្នែក: 9261

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 534W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH80N60FDTU
ON Semiconductor

FGH80N60FDTU

ចំណែកផ្នែក: 17028

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N65IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRWG

ចំណែកផ្នែក: 35282

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 405W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N60SMD-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMD-F085

ចំណែកផ្នែក: 2954

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 349W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T70SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T70SHD-F155

ចំណែកផ្នែក: 2540

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.15V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG18N120BN
ON Semiconductor

HGTG18N120BN

ចំណែកផ្នែក: 11952

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 165A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 18A, ថាមពល - អតិបរមា: 390W,

បញ្ជីប្រាថ្នា