Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
NGTD13T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD13T65F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 43681

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N65UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 29738

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA30T65SHD
ON Semiconductor

FGA30T65SHD

ចំណែកផ្នែក: 27345

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 238W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG30N60B3
ON Semiconductor

HGTG30N60B3

ចំណែកផ្នែក: 20902

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 220A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 22929

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG40N60B3
ON Semiconductor

HGTG40N60B3

ចំណែកផ្នែក: 8155

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 330A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTG35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTG35N65FL2WG

ចំណែកផ្នែក: 23259

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU

ចំណែកផ្នែក: 23931

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG11N120CND
ON Semiconductor

HGTG11N120CND

ចំណែកផ្នែក: 21846

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 43A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 11A, ថាមពល - អតិបរមា: 298W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3245G2-F085
ON Semiconductor

FGD3245G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 225

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 450V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 23A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGL35N120FTDTU
ON Semiconductor

FGL35N120FTDTU

ចំណែកផ្នែក: 7370

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 105A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 368W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGAF40S65AQ
ON Semiconductor

FGAF40S65AQ

ចំណែកផ្នែក: 2371

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 94W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH30S130P
ON Semiconductor

FGH30S130P

ចំណែកផ្នែក: 13155

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1300V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH20N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU

ចំណែកផ្នែក: 36732

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N60L2WG

ចំណែកផ្នែក: 20768

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 225W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH50T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH50T65SQD-F155

ចំណែកផ្នែក: 5157

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 268W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGP20N60UFDTU
ON Semiconductor

FGP20N60UFDTU

ចំណែកផ្នែក: 26370

ប្រភេទ IGBT: Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ISL9V2040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040D3ST

ចំណែកផ្នែក: 125426

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 130W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD-F155

ចំណែកផ្នែក: 2943

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 238W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG18N120BND
ON Semiconductor

HGTG18N120BND

ចំណែកផ្នែក: 10214

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 18A, ថាមពល - អតិបរមា: 390W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG20N60A4
ON Semiconductor

HGTG20N60A4

ចំណែកផ្នែក: 15335

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 280A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD23T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD23T120F2WP

ចំណែកផ្នែក: 24715

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD3040G2-F085
ON Semiconductor

FGD3040G2-F085

ចំណែកផ្នែក: 254

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.25V @ 4V, 6A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGA50N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGA50N100BNTDTU

ចំណែកផ្នែក: 21668

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1000V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.9V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB40N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL3WG

ចំណែកផ្នែក: 13060

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 454W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH40T120SQDNL4
ON Semiconductor

FGH40T120SQDNL4

ចំណែកផ្នែក: 2822

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.95V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 454W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGL40N120ANDTU
ON Semiconductor

FGL40N120ANDTU

ចំណែកផ្នែក: 10497

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH60T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SHD-F155

ចំណែកផ្នែក: 4029

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 349W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGD2736G3-F085
ON Semiconductor

FGD2736G3-F085

ចំណែកផ្នែក: 336

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 360V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 21A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.65V @ 4.5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB30N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N65IHL2WG

ចំណែកផ្នែក: 22140

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTG40N60A4
ON Semiconductor

HGTG40N60A4

ចំណែកផ្នែក: 7030

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NGTB45N60S2WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S2WG

ចំណែកផ្នែក: 22667

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 90A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 180A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FGH75T65SQDNL4
ON Semiconductor

FGH75T65SQDNL4

ចំណែកផ្នែក: 2906

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 375W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGH40N60UFTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFTU

ចំណែកផ្នែក: 19790

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.6V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 160W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor

HGTP12N60C3D

ចំណែកផ្នែក: 30296

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 96A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 104W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SGL50N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGL50N60RUFDTU

ចំណែកផ្នែក: 9347

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.8V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា