ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 16

APTGL90DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 541

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

ចំណែកផ្នែក: 556

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 534

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 607

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

ចំណែកផ្នែក: 579

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

ចំណែកផ្នែក: 542

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

ចំណែកផ្នែក: 560

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 230A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

ចំណែកផ្នែក: 5334

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

ចំណែកផ្នែក: 574

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT70GR120J

ចំណែកផ្នែក: 2416

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 112A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 70A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

ចំណែកផ្នែក: 2286

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 84A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT200GN60J

ចំណែកផ្នែក: 2197

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 283A, ថាមពល - អតិបរមា: 682W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

ចំណែកផ្នែក: 578

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

ចំណែកផ្នែក: 3071

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

ចំណែកផ្នែក: 594

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

ចំណែកផ្នែក: 580

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 210A, ថាមពល - អតិបរមា: 1041W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

ចំណែកផ្នែក: 540

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, ថាមពល - អតិបរមា: 568W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

ចំណែកផ្នែក: 546

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

ចំណែកផ្នែក: 581

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

ចំណែកផ្នែក: 600

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 210A, ថាមពល - អតិបរមា: 961W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

ចំណែកផ្នែក: 546

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

ចំណែកផ្នែក: 585

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

ចំណែកផ្នែក: 3077

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

ចំណែកផ្នែក: 609

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter - IGBT, FET, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

ចំណែកផ្នែក: 524

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter - IGBT, FET, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

ចំណែកផ្នែក: 1322

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 215A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 530

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 491

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

ចំណែកផ្នែក: 539

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

ចំណែកផ្នែក: 546

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 270W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 476

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

ចំណែកផ្នែក: 466

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 270W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

ចំណែកផ្នែក: 528

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

ចំណែកផ្នែក: 540

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 546

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

ចំណែកផ្នែក: 487

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 115W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 15A,

បញ្ជីប្រាថ្នា