Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation

APTGF75H120TG

ចំណែកផ្នែក: 694

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DH120TG

ចំណែកផ្នែក: 460

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DSK120TG

ចំណែកផ្នែក: 487

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF75DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA60D1G

ចំណែកផ្នែក: 494

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 355W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF75DDA120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DDA120TG

ចំណែកផ្នែក: 505

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF660U60D4G

ចំណែកផ្នែក: 488

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 860A, ថាមពល - អតិបរមា: 2800W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 800A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 480

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50X60T3G

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF530U120D4G

ចំណែកផ្នែក: 478

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700A, ថាមពល - អតិបរមា: 3900W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TDU120PG

ចំណែកផ្នែក: 3072

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Triple, Dual - Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TA120PG

ចំណែកផ្នែក: 469

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50SK120T1G

ចំណែកផ្នែក: 439

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF50SK120TG

ចំណែកផ្នែក: 484

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 1481

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DU120TG

ចំណែកផ្នែក: 3098

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH60TG

ចំណែកផ្នែក: 430

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK60T3G

ចំណែកផ្នែក: 463

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA60T3G

ចំណែកផ្នែក: 3088

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH120TG

ចំណែកផ្នែក: 496

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DA120TG

ចំណែកផ្នែក: 424

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 439

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 518

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50A120TG
Microsemi Corporation

APTGF50A120TG

ចំណែកផ្នែក: 3078

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF500U60D4G

ចំណែកផ្នែក: 520

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 625A, ថាមពល - អតិបរមា: 2000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 500A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A120T1G

ចំណែកផ្នែក: 439

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF400U120D4G

ចំណែកផ្នែក: 3075

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 510A, ថាមពល - អតិបរមា: 2500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

ចំណែកផ្នែក: 479

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 450A, ថាមពល - អតិបរមា: 1560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 360A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

ចំណែកផ្នែក: 449

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

ចំណែកផ្នែក: 437

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

ចំណែកផ្នែក: 508

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

ចំណែកផ្នែក: 424

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1562W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 360A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

ចំណែកផ្នែក: 514

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 460A, ថាមពល - អតិបរមា: 1400W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

ចំណែកផ្នែក: 444

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 520A, ថាមពល - អតិបរមា: 1560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 469

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 491

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា