Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល
APTGT225A170G
Microsemi Corporation

APTGT225A170G

ចំណែកផ្នែក: 559

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 340A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 225A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation

APTGT450DA60G

ចំណែកផ្នែក: 807

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 550A, ថាមពល - អតិបរមា: 1750W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 450A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation

APTGT200DH60G

ចំណែកផ្នែក: 969

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 290A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170T1G

ចំណែកផ្នែក: 1665

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ200H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H65G

ចំណែកផ្នែក: 235

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 270A, ថាមពល - អតិបរមា: 680W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100H170G
Microsemi Corporation

APTGT100H170G

ចំណែកផ្នែក: 545

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA120TG

ចំណែកផ្នែក: 1830

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TDU60PG

ចំណែកផ្នែក: 882

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Triple, Dual - Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU60TG

ចំណែកផ្នែក: 1678

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT85GR120JD60
Microsemi Corporation

APT85GR120JD60

ចំណែកផ្នែក: 1831

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 116A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 85A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4

ចំណែកផ្នែក: 1985

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 283A, ថាមពល - អតិបរមា: 682W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN60JDQ4

ចំណែកផ្នែក: 2056

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGFQ25H120T2G

ចំណែកផ្នែក: 1323

ប្រភេទ IGBT: NPT and Fieldstop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 227W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT200A120G
Microsemi Corporation

APTGT200A120G

ចំណែកផ្នែក: 466

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 280A, ថាមពល - អតិបរមា: 890W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation

APTGT200DU120G

ចំណែកផ្នែក: 608

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 280A, ថាមពល - អតិបរមា: 890W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation

APT100GT120JU2

ចំណែកផ្នែក: 2200

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTCV60TLM45T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM45T3G

ចំណែកផ្នែក: 3094

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter - IGBT, FET, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT85GR120J
Microsemi Corporation

APT85GR120J

ចំណែកផ្នែក: 2135

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 116A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 85A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

ចំណែកផ្នែក: 548

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30TL60T3G

ចំណែកផ្នែក: 3068

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GF60JCU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JCU2

ចំណែកផ្នែក: 598

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GF120JCU2

ចំណែកផ្នែក: 619

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 227W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT15GF120JCU2

ចំណែកផ្នែក: 601

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 15A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3

ចំណែកផ្នែក: 2245

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 124A, ថាមពល - អតិបរមា: 379W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 608

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

ចំណែកផ្នែក: 565

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

ចំណែកផ្នែក: 1378

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

ចំណែកផ្នែក: 1989

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

ចំណែកផ្នែក: 2465

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 170W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

ចំណែកផ្នែក: 620

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

ចំណែកផ្នែក: 595

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

ចំណែកផ្នែក: 549

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

ចំណែកផ្នែក: 602

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

ចំណែកផ្នែក: 625

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

ចំណែកផ្នែក: 542

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

ចំណែកផ្នែក: 1816

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 128A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា