ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 16

APTGT100A170TG

ចំណែកផ្នែក: 1066

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

ចំណែកផ្នែក: 816

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 1380W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

ចំណែកផ្នែក: 1034

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 80A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

ចំណែកផ្នែក: 763

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 610A, ថាមពល - អតិបរមា: 2080W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

ចំណែកផ្នែក: 1414

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

ចំណែកផ្នែក: 1115

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

ចំណែកផ្នែក: 3761

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 55A, ថាមពល - អតិបរមា: 260W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ600A65T6G

ចំណែកផ្នែក: 512

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1200A, ថាមពល - អតិបរមា: 2000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT225SK170G

ចំណែកផ្នែក: 816

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 340A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 225A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT200A120D3G

ចំណែកផ្នែក: 726

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300A, ថាមពល - អតិបរមា: 1040W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150DA60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2480

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 225A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ300SK120G

ចំណែកផ្នែក: 249

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500A, ថាមពល - អតិបរមា: 1500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.42V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100H120G

ចំណែកផ្នែក: 718

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300DA170D3G

ចំណែកផ្នែក: 767

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 530A, ថាមពល - អតិបរមា: 1470W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL90DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 2308

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ400A120T6G

ចំណែកផ្នែក: 452

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700A, ថាមពល - អតិបរមា: 1900W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T1G

ចំណែកផ្នែក: 261

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 175W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT50H60RT3G

ចំណែកផ្នែក: 1712

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1107

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT400DU120G

ចំណែកផ្នែក: 445

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 560A, ថាមពល - អតិបរមា: 1785W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT75DU120TG

ចំណែកផ្នែក: 1368

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 350W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL120TA120TPG

ចំណែកផ្នែក: 398

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 517W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.15V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT200SK120G

ចំណែកផ្នែក: 970

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 280A, ថាមពល - អតិបរមា: 890W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL120TDU120TPG

ចំណែកផ្នែក: 524

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Triple, Dual - Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 517W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.15V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

ចំណែកផ្នែក: 1382

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 225A, ថាមពល - អតិបរមា: 600W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1437

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 324

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 170A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.42V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

ចំណែកផ្នែក: 317

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: 2 Independent, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 160A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1591

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

ចំណែកផ្នែក: 1766

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

ចំណែកផ្នែក: 510

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600A, ថាមពល - អតិបរមា: 1000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

ចំណែកផ្នែក: 268

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2517

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

ចំណែកផ្នែក: 1938

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

ចំណែកផ្នែក: 297

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 483W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

ចំណែកផ្នែក: 1208

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា