ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 16

APT100GT120JR

ចំណែកផ្នែក: 1736

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 123A, ថាមពល - អតិបរមា: 570W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT100GT60JRDQ4

ចំណែកផ្នែក: 2045

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 148A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGF90H60T3G

ចំណែកផ្នែក: 1085

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT100GN120JDQ4

ចំណែកផ្នែក: 1595

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 153A, ថាមពល - អតិបរមា: 446W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT50GF120JRDQ3

ចំណែកផ្នែក: 1110

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, ថាមពល - អតិបរមា: 521W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT100GT120JRDQ4

ចំណែកផ្នែក: 1462

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 123A, ថាមពល - អតិបរមា: 570W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT60GF120JRDQ3

ចំណែកផ្នែក: 910

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 149A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT60GA60JD60

ចំណែកផ្នែក: 2217

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 112A, ថាមពល - អតិបរមា: 356W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 62A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APT45GP120JDQ2

ចំណែកផ្នែក: 1797

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 329W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 45A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL700SK120D3G

ចំណែកផ្នែក: 657

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 840A, ថាមពល - អតិបរមា: 3000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300SK60G

ចំណែកផ្នែក: 974

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300DU120G

ចំណែកផ្នែក: 642

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 1380W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150DU120TG

ចំណែកផ្នែក: 1106

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT35H120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1698

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 55A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100TA120TPG

ចំណែកផ្នែក: 574

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T2G

ចំណែកផ្នែក: 324

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.42V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT200A602G

ចំណែកផ្នែក: 1730

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 290A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300DA60D3G

ចំណែកផ្នែក: 1121

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 940W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100DA60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2638

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300DU60G

ចំណែកផ្នែក: 576

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTCV60HM45BT3G

ចំណែកផ្នែក: 1224

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT750U60D4G

ចំណែកផ្នែក: 762

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1000A, ថាមពល - អតិបរមា: 2300W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 800A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100A120TG

ចំណែកផ្នែក: 1335

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGTQ100SK65T1G

ចំណែកផ្នែក: 313

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL240TL120G

ចំណែកផ្នែក: 511

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 305A, ថាមពល - អតិបរមា: 1000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ150A120TG

ចំណែកផ្នែក: 304

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 250A, ថាមពល - អតិបរមា: 750W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT600DU60G

ចំណែកផ្នែក: 478

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700A, ថាមពល - អតិបរមា: 2300W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT75SK120TG

ចំណែកផ្នែក: 1741

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT600SK60G

ចំណែកផ្នែក: 634

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700A, ថាមពល - អតិបរមា: 2300W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT400U120D4G

ចំណែកផ្នែក: 686

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600A, ថាមពល - អតិបរមា: 2250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150DU120G

ចំណែកផ្នែក: 806

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ100A65T1G

ចំណែកផ្នែក: 1211

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 350W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300DA60G

ចំណែកផ្នែក: 1016

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ200HR120G

ចំណែកផ្នែក: 726

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300A, ថាមពល - អតិបរមា: 1000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 160A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 1184

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300DU170G

ចំណែកផ្នែក: 302

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1660W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា