ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 16

APTGT150DA120G

ចំណែកផ្នែក: 1025

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

ចំណែកផ្នែក: 507

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 610A, ថាមពល - អតិបរមា: 2080W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 1880

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 225A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

ចំណែកផ្នែក: 285

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 365W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

ចំណែកផ្នែក: 685

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Triple, Dual - Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 350W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

ចំណែកផ្នែក: 285

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 175W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

ចំណែកផ្នែក: 1701

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300A60G

ចំណែកផ្នែក: 824

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 2132

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

ចំណែកផ្នែក: 1678

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

ចំណែកផ្នែក: 1713

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

ចំណែកផ្នែក: 586

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

ចំណែកផ្នែក: 698

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 430A, ថាមពល - អតិបរមា: 1150W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2483

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 32A, ថាមពល - អតិបរមា: 62W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 20A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150H120G

ចំណែកផ្នែក: 519

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

ចំណែកផ្នែក: 1737

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

ចំណែកផ្នែក: 1412

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

ចំណែកផ្នែក: 2036

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 210W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

ចំណែកផ្នែក: 608

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 910A, ថាមពល - អតិបរមា: 3000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

ចំណែកផ្នែក: 1098

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

ចំណែកផ្នែក: 1637

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

ចំណែកផ្នែក: 1338

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 210W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

ចំណែកផ្នែក: 2151

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1534

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

ចំណែកផ្នែក: 301

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 250A, ថាមពល - អតិបរមា: 750W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

ចំណែកផ្នែក: 1788

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

ចំណែកផ្នែក: 238

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 175W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

ចំណែកផ្នែក: 596

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 840A, ថាមពល - អតិបរមា: 3000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

ចំណែកផ្នែក: 1078

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 225A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

ចំណែកផ្នែក: 1515

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

ចំណែកផ្នែក: 1144

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

ចំណែកផ្នែក: 320

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

ចំណែកផ្នែក: 1402

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT300A120G

ចំណែកផ្នែក: 588

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 1380W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

ចំណែកផ្នែក: 1369

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 225A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

ចំណែកផ្នែក: 762

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 560A, ថាមពល - អតិបរមា: 1785W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា