Menu
CambodiaCambodia
0RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

ចំណែកផ្នែក: 546

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

ចំណែកផ្នែក: 5307

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

ចំណែកផ្នែក: 531

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

ចំណែកផ្នែក: 541

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

ចំណែកផ្នែក: 521

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

ចំណែកផ្នែក: 490

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

ចំណែកផ្នែក: 478

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

ចំណែកផ្នែក: 540

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 465W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

ចំណែកផ្នែក: 464

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 555

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

ចំណែកផ្នែក: 545

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

ចំណែកផ្នែក: 548

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

ចំណែកផ្នែក: 526

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

ចំណែកផ្នែក: 526

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 760A, ថាមពល - អតិបរមា: 1600W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

ចំណែកផ្នែក: 482

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 310W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

ចំណែកផ្នែក: 514

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 310W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

ចំណែកផ្នែក: 476

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

ចំណែកផ្នែក: 541

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

ចំណែកផ្នែក: 552

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 270W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

ចំណែកផ្នែក: 528

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

ចំណែកផ្នែក: 3071

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

ចំណែកផ្នែក: 518

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 310W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

ចំណែកផ្នែក: 496

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 270W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

ចំណែកផ្នែក: 535

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 310W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 520

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

ចំណែកផ្នែក: 494

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 270W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

ចំណែកផ្នែក: 483

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

ចំណែកផ្នែក: 517

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 550A, ថាមពល - អតិបរមា: 1750W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 450A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

ចំណែកផ្នែក: 472

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

ចំណែកផ្នែក: 507

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 580A, ថាមពល - អតិបរមា: 2100W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

ចំណែកផ្នែក: 463

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 580A, ថាមពល - អតិបរមា: 2100W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

ចំណែកផ្នែក: 527

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 55A, ថាមពល - អតិបរមា: 205W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

ចំណែកផ្នែក: 522

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 55A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

ចំណែកផ្នែក: 463

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 55A, ថាមពល - អតិបរមា: 205W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

ចំណែកផ្នែក: 481

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 55A, ថាមពល - អតិបរមា: 205W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

ចំណែកផ្នែក: 507

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 210W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា