Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល
APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A120D1G

ចំណែកផ្នែក: 531

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 700W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A170D1G

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 280A, ថាមពល - អតិបរមា: 780W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TA60PG

ចំណែកផ្នែក: 499

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK60TG

ចំណែកផ្នែក: 503

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK170D1G

ចំណែកផ្នែក: 535

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 695W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK60T1G

ចំណែកផ្នែក: 475

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK120TG

ចំណែកផ្នែក: 499

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK120D1G

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DH170G
Microsemi Corporation

APTGT100DH170G

ចំណែកផ្នែក: 519

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DSK60T3G

ចំណែកផ្នែក: 465

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DDA60T3G

ចំណែកផ្នែក: 447

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA60TG

ចំណែកផ្នែក: 495

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA170TG

ចំណែកផ្នែក: 472

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA170D1G

ចំណែកផ្នែក: 489

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 695W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120D1G

ចំណែកផ្នែក: 508

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA120TG

ចំណែកផ្នែក: 456

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A170D1G

ចំណែកផ្នែក: 453

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 695W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A60TG
Microsemi Corporation

APTGT100A60TG

ចំណែកផ្នែក: 489

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A120D1G

ចំណែកផ្នែក: 3061

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL325SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325SK120D3G

ចំណែកផ្នែក: 506

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 1500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TDU60PG

ចំណែកផ្នែក: 489

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Triple, Dual - Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL325DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325DA120D3G

ចំណែកផ្នែក: 464

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 420A, ថាមពល - អតិបរមា: 1500W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF90SK60TG

ចំណែកផ្នែក: 437

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90TA60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TA60PG

ចំណែកផ្នែក: 476

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60T1G

ចំណែកផ្នែក: 509

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60D1G

ចំណែកផ្នែក: 494

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 445W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DU60TG

ចំណែកផ្នែក: 474

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90H60TG
Microsemi Corporation

APTGF90H60TG

ចំណែកផ្នែក: 3062

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DH60TG

ចំណែកផ្នែក: 461

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DA60TG

ចំណែកផ្នែក: 519

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60D1G

ចំណែកផ្នែក: 3081

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 445W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60T1G

ចំណែកផ្នែក: 459

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 457

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90A60TG
Microsemi Corporation

APTGF90A60TG

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 90A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60D1G

ចំណែកផ្នែក: 3062

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF75SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75SK60D1G

ចំណែកផ្នែក: 467

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 355W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា