Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation

APTGT50H120TG

ចំណែកផ្នែក: 318

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA170TG

ចំណែកផ្នែក: 319

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DSK60T3G

ចំណែកផ្នែក: 290

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 90W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DDA60T3G

ចំណែកផ្នែក: 311

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 32A, ថាមពល - អតិបរមា: 62W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 20A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150A60TG
Microsemi Corporation

APTGT150A60TG

ចំណែកផ្នែក: 326

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 225A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150A170G
Microsemi Corporation

APTGT150A170G

ចំណែកផ្នែក: 349

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 250A, ថាមពល - អតិបរមា: 890W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 308

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation

APTGF50H120TG

ចំណែកផ្នែក: 317

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330DA60D3G

ចំណែកផ្នែក: 3084

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 460A, ថាមពល - អតិបរមា: 1400W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF25DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DSK120T3G

ចំណែកផ្នែក: 347

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 208W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF15X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15X120T3G

ចំណែកផ្នែក: 282

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 15A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DA120TG

ចំណែកផ្នែក: 363

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, ថាមពល - អតិបរមា: 568W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF150H120G
Microsemi Corporation

APTGF150H120G

ចំណែកផ្នែក: 322

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 961W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation

APT100GF60JU2

ចំណែកផ្នែក: 3038

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4G

ចំណែកផ្នែក: 326

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 283A, ថាមពល - អតិបរមា: 682W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation

APT35GP120JDQ2

ចំណែកផ្នែក: 2090

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, ថាមពល - អតិបរមា: 284W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា