Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល
APTGF100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

ចំណែកផ្នែក: 453

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, ថាមពល - អតិបរមា: 568W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

ចំណែកផ្នែក: 3069

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 961W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

ចំណែកផ្នែក: 453

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, ថាមពល - អតិបរមា: 568W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

ចំណែកផ្នែក: 411

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 735W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

ចំណែកផ្នែក: 435

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, ថាមពល - អតិបរមា: 568W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

ចំណែកផ្នែក: 455

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 93A, ថាមពល - អតិបរមា: 378W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 60A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

ចំណែកផ្នែក: 418

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 93A, ថាមពល - អតិបរមា: 378W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 60A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

ចំណែកផ្នែក: 3465

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 347W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

ចំណែកផ្នែក: 3433

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 347W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

ចំណែកផ្នែក: 448

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GF60JU3
Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

ចំណែកផ្នែក: 465

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 58A, ថាមពល - អតិបរមា: 192W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

ចំណែកផ្នែក: 416

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 58A, ថាមពល - អតិបរមា: 192W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

ចំណែកផ្នែក: 481

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN120J
Microsemi Corporation

APT75GN120J

ចំណែកផ្នែក: 420

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 124A, ថាមពល - អតិបរមា: 379W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

ចំណែកផ្នែក: 401

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 124A, ថាមពល - អតិបរមា: 379W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT60GT60JR
Microsemi Corporation

APT60GT60JR

ចំណែកផ្នែក: 445

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 93A, ថាមពល - អតិបរមា: 378W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 60A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GP60J
Microsemi Corporation

APT50GP60J

ចំណែកផ្នែក: 2419

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 329W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

ចំណែកផ្នែក: 393

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 72A, ថាមពល - អតិបរមា: 379W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

ចំណែកផ្នែក: 2536

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 86A, ថាមពល - អតិបរមា: 284W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

ចំណែកផ្នែក: 469

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 77A, ថាមពល - អតិបរមា: 347W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT200GN60JG
Microsemi Corporation

APT200GN60JG

ចំណែកផ្នែក: 406

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 283A, ថាមពល - អតិបរមា: 682W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

ចំណែកផ្នែក: 1653

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 128A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGV50H60BT3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

ចំណែកផ្នែក: 1360

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Boost Chopper, Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.45V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

ចំណែកផ្នែក: 2143

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, ថាមពល - អតិបរមា: 284W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GP90J
Microsemi Corporation

APT40GP90J

ចំណែកផ្នែក: 2176

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 68A, ថាមពល - អតិបរមា: 284W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

ចំណែកផ្នែក: 2312

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 329W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GP60JDQ1
Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

ចំណែកផ្នែក: 2849

ប្រភេទ IGBT: PT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 67A, ថាមពល - អតិបរមា: 245W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF50DA120CT1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

ចំណែកផ្នែក: 351

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF90DA60CT1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

ចំណែកផ្នែក: 336

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

ចំណែកផ្នែក: 3031

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

ចំណែកផ្នែក: 3035

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGF100A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

ចំណែកផ្នែក: 285

ប្រភេទ IGBT: NPT, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 130A, ថាមពល - អតិបរមា: 657W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

ចំណែកផ្នែក: 351

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

ចំណែកផ្នែក: 371

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

ចំណែកផ្នែក: 316

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 270W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

ចំណែកផ្នែក: 363

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 350W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា