Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ីធី - ម៉ូឌុល
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

ចំណែកផ្នែក: 505

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 350A, ថាមពល - អតិបរមា: 1000W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

ចំណែកផ្នែក: 718

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700A, ថាមពល - អតិបរមា: 2300W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 600A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2807

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

ចំណែកផ្នែក: 692

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 610A, ថាមពល - អតិបរមា: 2082W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

ចំណែកផ្នែក: 1579

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

ចំណែកផ្នែក: 1313

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 140A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

ចំណែកផ្នែក: 1568

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

ចំណែកផ្នែក: 469

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 530A, ថាមពល - អតិបរមា: 1470W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

ចំណែកផ្នែក: 920

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 250A, ថាមពល - អតិបរមា: 890W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

ចំណែកផ្នែក: 631

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 400A, ថាមពល - អតិបរមា: 1660W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 300A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

ចំណែកផ្នែក: 443

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 580A, ថាមពល - អតិបរមា: 2100W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 400A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1919

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 280W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

ចំណែកផ្នែក: 530

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Level Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 560W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

ចំណែកផ្នែក: 255

ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 483W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

ចំណែកផ្នែក: 237

ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

ចំណែកផ្នែក: 1419

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

ចំណែកផ្នែក: 851

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, ថាមពល - អតិបរមា: 690W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 150A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2031

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 176W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

ចំណែកផ្នែក: 770

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 340A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 225A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

ចំណែកផ្នែក: 2167

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 340W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 100A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

ចំណែកផ្នែក: 515

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual, Common Source, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 340A, ថាមពល - អតិបរមា: 1250W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 225A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

ចំណែកផ្នែក: 1579

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 290A, ថាមពល - អតិបរមា: 750W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

ចំណែកផ្នែក: 709

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 280A, ថាមពល - អតិបរមា: 890W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1593

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Dual Boost Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 385W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

ចំណែកផ្នែក: 244

ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

ចំណែកផ្នែក: 292

ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Buck Chopper, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 483W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT450A60G
Microsemi Corporation

APTGT450A60G

ចំណែកផ្នែក: 612

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Half Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 550A, ថាមពល - អតិបរមា: 1750W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 15V, 450A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation

APTGT50H170TG

ចំណែកផ្នែក: 818

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1700V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50H120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1389

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 270W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DH120T3G

ចំណែកផ្នែក: 1513

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Asymmetrical Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GL120JU3
Microsemi Corporation

APT40GL120JU3

ចំណែកផ្នែក: 3651

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 220W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.25V @ 15V, 35A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT200DA120G
Microsemi Corporation

APTGT200DA120G

ចំណែកផ្នែក: 955

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Single, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 280A, ថាមពល - អតិបរមា: 890W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 200A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ30H65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ30H65T3G

ចំណែកផ្នែក: 281

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 95W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 30A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation

APTGT75H120TG

ចំណែកផ្នែក: 963

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge Inverter, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGLQ25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T1G

ចំណែកផ្នែក: 271

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Full Bridge, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 165W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.42V @ 15V, 25A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APTGT75TA120PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA120PG

ចំណែកផ្នែក: 672

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, ការកំណត់​រចនាសម្ព័ន្ធ: Three Phase, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 350W, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A,

បញ្ជីប្រាថ្នា