ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 100

BYG10Y-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 119874

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 198448

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 152155

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 158166

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 197367

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 194835

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 113942

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 75V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 150mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 6ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 120561

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 70V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 70mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 15mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 114352

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 158404

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 129535

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 150mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 250mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 111296

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 50mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 199754

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 117566

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 138262

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-18

ចំណែកផ្នែក: 325

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 139086

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 50mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 148789

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 50mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 107239

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 140508

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 148285

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 75V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 150mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 6ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 133467

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 150mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 250mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 128129

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 115332

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 155536

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 50mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 174272

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 70V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 70mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 15mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 190986

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 132335

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 450mV @ 15mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 5ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 163202

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 163559

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 185224

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 141866

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 146436

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 75V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 150mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 6ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 197062

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 176953

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-08

ចំណែកផ្នែក: 367

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា