ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 100

BYG24G-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 160213

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

ចំណែកផ្នែក: 141773

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 131968

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 182415

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 178714

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 104636

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 136458

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 128490

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 129800

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1300V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.9V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 120649

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 155324

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 188118

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 135545

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 137182

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 196477

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 116559

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 167113

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 151425

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 167334

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 177836

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

ចំណែកផ្នែក: 116100

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 126510

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 113240

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 197556

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 112695

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 164441

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 174425

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 199071

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 120482

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 162395

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 109092

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 111717

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 162156

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 131985

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 142403

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 178334

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា