Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
BYW85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW85TR

ចំណែកផ្នែក: 190298

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 3A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 7.5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW72-TR

ចំណែកផ្នែក: 176837

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36A-TAP

ចំណែកផ្នែក: 106977

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV98-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TR

ចំណែកផ្នែក: 166059

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TAP

ចំណែកផ្នែក: 197416

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYM36E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TR

ចំណែកផ្នែក: 193761

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.78V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV98-50-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-50-TAP

ចំណែកផ្នែក: 186896

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT56K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TR

ចំណែកផ្នែក: 193768

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-13TAP

ចំណែកផ្នែក: 151048

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW84-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TAP

ចំណែកផ្នែក: 193746

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 3A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 7.5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW172G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TR

ចំណែកផ្នែក: 180423

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 9A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV28-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-050-TAP

ចំណែកផ្នែក: 168824

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYM36C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36C-TAP

ចំណែកផ្នែក: 144190

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV98-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TR

ចំណែកផ្នែក: 180379

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TR

ចំណែកផ្នែក: 184567

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV28-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TR

ចំណែកផ្នែក: 153910

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW178-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TAP

ចំណែកផ្នែក: 174447

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.9V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT56J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TAP

ចំណែកផ្នែក: 197427

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TR

ចំណែកផ្នែក: 197470

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV98-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TR

ចំណែកផ្នែក: 183624

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT56B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TR

ចំណែកផ្នែក: 145511

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT56G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56G-TR

ចំណែកផ្នែក: 111086

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW84-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TR

ចំណែកផ្នែក: 193786

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 3A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 7.5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW75TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TR

ចំណែកផ្នែក: 190208

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 500V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV98-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TAP

ចំណែកផ្នែក: 174443

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT56D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56D-TAP

ចំណែកផ្នែក: 181104

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW172F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172F-TR

ចំណែកផ្នែក: 183570

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 9A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV28-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TR

ចំណែកផ្នែក: 163522

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT56B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 149650

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT78-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TR

ចំណែកផ្នែក: 181183

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 250ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BY228GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 165820

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1500V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 2.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 20µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW83-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83-TR

ចំណែកផ្នែក: 197398

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 3A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 7.5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV98-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TAP

ចំណែកផ្នែក: 180387

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW76TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW76TAP

ចំណែកផ្នែក: 186903

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW82-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TAP

ចំណែកផ្នែក: 193864

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 3A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 7.5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT56A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TAP

ចំណែកផ្នែក: 101521

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា