Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 183725

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 115069

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 197411

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 133472

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 189054

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 154231

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 129432

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 181553

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 177768

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 144093

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 138230

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG24J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 163164

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG20G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 107656

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG21MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 135582

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 187643

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 141453

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 151105

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 110757

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 163338

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 160116

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

ចំណែកផ្នែក: 174275

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 159460

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 116335

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 199885

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 187956

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 199372

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 176378

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 183930

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 155546

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 140ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 125757

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG20DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 196711

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 186120

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG20DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 139157

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 1.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG22DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 185358

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

ចំណែកផ្នែក: 310

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

ចំណែកផ្នែក: 195437

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.15V @ 1.5A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា