Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
BYT51G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TR

ចំណែកផ្នែក: 108131

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BY203-16STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STAP

ចំណែកផ្នែក: 136970

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.4V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 300ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BY203-20STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STR

ចំណែកផ្នែក: 118044

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 2000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 250mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.4V @ 200mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 300ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TR

ចំណែកផ្នែក: 167643

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TAP

ចំណែកផ្នែក: 143810

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT51K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TAP

ចំណែកផ្នែក: 146683

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW33-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TR

ចំណែកផ្នែក: 150277

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TAP

ចំណែកផ្នែក: 117767

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 300ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV15-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TAP

ចំណែកផ្នែក: 146909

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 300ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYX85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TR

ចំណែកផ្នែក: 166400

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TAP

ចំណែកផ្នែក: 131415

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TAP

ចំណែកផ្នែក: 128469

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYX86TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TR

ចំណែកផ្នែក: 169144

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TAP

ចំណែកផ្នែក: 116076

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TAP

ចំណែកផ្នែក: 105440

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT51K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TR

ចំណែកផ្នែក: 182442

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV16-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TR

ចំណែកផ្នែក: 179220

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 300ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV37-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TAP

ចំណែកផ្នែក: 150638

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 300ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TAP

ចំណែកផ្នែក: 199187

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TR

ចំណែកផ្នែក: 134763

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV14-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TR

ចំណែកផ្នែក: 153828

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 300ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT52D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TAP

ចំណែកផ្នែក: 150232

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT53G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TR

ចំណែកផ្នែក: 132124

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.9A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYX85TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TAP

ចំណែកផ្នែក: 142054

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT53D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TAP

ចំណែកផ្នែក: 196848

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.9A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW32-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TAP

ចំណែកផ្នែក: 187387

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT52K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TAP

ចំណែកផ្នែក: 163520

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TAP

ចំណែកផ្នែក: 169667

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT53A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TR

ចំណែកផ្នែក: 125422

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.9A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TR

ចំណែកផ្នែក: 135093

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW52-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TAP

ចំណែកផ្នែក: 182850

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYV27-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TAP

ចំណែកផ្នែក: 172017

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 55V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.07V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT54D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TAP

ចំណែកផ្នែក: 111860

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW55-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TR

ចំណែកផ្នែក: 170956

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYW35-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TAP

ចំណែកផ្នែក: 181459

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 500V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BYT52K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TR

ចំណែកផ្នែក: 162625

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Avalanche, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1.4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា