ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 2

TPCF8402(TE85L,F,M

ចំណែកផ្នែក: 2735

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, 3.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF

ចំណែកផ្នែក: 24307

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 400mA, 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.8V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4201(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 2892

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 2742

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L11TU(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 2856

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 250MA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4203(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 3305

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8221-H,LQ(S

ចំណែកផ្នែក: 2821

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

ចំណែកផ្នែក: 3306

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 140070

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 330mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,LF

ចំណែកផ្នែក: 3270

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N39TU,LF

ចំណែកផ្នែក: 2461

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.6A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 119 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 102707

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002KFU,LF

ចំណែកផ្នែក: 124781

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 300mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N43FU,LF

ចំណែកផ្នែក: 176574

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L12TU,LF

ចំណែកផ្នែក: 2495

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8408,LQ(S

ចំណែកផ្នែក: 128587

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.1A, 5.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N36FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 161424

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 179879

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 800mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

ចំណែកផ្នែក: 178067

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

ចំណែកផ្នែក: 175270

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 111011

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L16FETE85LF

ចំណែកផ្នែក: 192590

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 0.1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N57NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 182932

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

ចំណែកផ្នែក: 151036

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, 7.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

ចំណែកផ្នែក: 164511

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 170mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

ចំណែកផ្នែក: 150969

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 105414

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

ចំណែកផ្នែក: 179839

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

ចំណែកផ្នែក: 111677

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 800mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

ចំណែកផ្នែក: 156819

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា