Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ
TPCL4202(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4202(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 2949

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPCF8304(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

ចំណែកផ្នែក: 2938

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6L13TU(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L13TU(T5L,F,T)

ចំណែកផ្នែក: 2912

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 800mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N48FU,RF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

ចំណែកផ្នែក: 2967

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N68NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 16268

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N35AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU,LF

ចំណែកផ្នែក: 9923

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N42FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 2976

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 800mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N815R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

ចំណែកផ្នែក: 9939

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6L35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 172252

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180mA, 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N67NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N67NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 9963

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N35AFE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

ចំណែកផ្នែក: 13256

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6P35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 173905

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 13232

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.7V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N37CTD(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37CTD(TPL3)

ចំណែកផ្នែក: 2957

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6P41FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P41FE(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 13283

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 720mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC8405(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 3098

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N357R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N357R,LF

ចំណែកផ្នែក: 16211

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 650mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6P35FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 121978

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FU(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 156233

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180mA, 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6L61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L61NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 154751

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N48FU,RF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

ចំណែកផ្នែក: 3013

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N7002BFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

ចំណែកផ្នែក: 154781

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N61NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 117701

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6P49NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 154268

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N16FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FUTE85LF

ចំណែកផ្នែក: 9999

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6L36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L36FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 107404

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA, 330mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPCP8203(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 2780

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6N7002BFE(T5L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

ចំណែកផ្នែក: 2844

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC8211(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8211(TE12L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 2801

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC8213-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8213-H(TE12LQ,M

ចំណែកផ្នែក: 2813

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC8208(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 2694

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPCF8201(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

ចំណែកផ្នែក: 2756

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC8212-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

ចំណែកផ្នែក: 2781

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPCP8401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8401(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 3345

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC8208(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 2829

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC8207(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

ចំណែកផ្នែក: 2650

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 200µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា