Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊្លុលឡា (ប៊ីជេធី) - អេហ្វ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊្លុលឡា (ប៊ីជេធី) - អេហ្វ
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

ចំណែកផ្នែក: 144

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 13dB, ថាមពល - អតិបរមា: 150mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 170

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 11dB, ថាមពល - អតិបរមា: 150mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 171976

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 550MHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, ទទួលបាន: 17dB ~ 23dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

ចំណែកផ្នែក: 111075

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 128600

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 11dB ~ 16.5dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

ចំណែកផ្នែក: 121034

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 190

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 170

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 187

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 10GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, ទទួលបាន: 13dB ~ 7dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

ចំណែកផ្នែក: 173074

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 128

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 10GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, ទទួលបាន: 13dB ~ 7.5dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

ចំណែកផ្នែក: 124837

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 550MHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, ទទួលបាន: 17dB ~ 23dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

ចំណែកផ្នែក: 152602

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 11dB, ថាមពល - អតិបរមា: 150mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 162523

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, ថាមពល - អតិបរមា: 150mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

ចំណែកផ្នែក: 133840

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 132303

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 550MHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, ទទួលបាន: 23dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 156257

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 8GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, ថាមពល - អតិបរមា: 150mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 190913

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 12dB ~ 17dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 167393

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 550MHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, ទទួលបាន: 23dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 7295

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, ទទួលបាន: 18dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

ចំណែកផ្នែក: 4783

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 6GHz, ទទួលបាន: 11dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

ចំណែកផ្នែក: 7101

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 550MHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, ទទួលបាន: 17dB ~ 23dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

ចំណែកផ្នែក: 7064

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 10GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 1.4dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 160292

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 550MHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, ទទួលបាន: 23dB, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 91

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 6V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 11.5GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 12dB, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

ចំណែកផ្នែក: 18982

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 6V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 8GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 10.5dB, ថាមពល - អតិបរមា: 1W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

ចំណែកផ្នែក: 4314

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 5.3V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7.7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 10.5dB, ថាមពល - អតិបរមា: 1.6W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 9921

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 5.3V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 12.5GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 11.8dB, ថាមពល - អតិបរមា: 800mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

ចំណែកផ្នែក: 4313

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 16.5dB, ថាមពល - អតិបរមា: 1.8W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

ចំណែកផ្នែក: 135

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, ទទួលបាន: 12dB, ថាមពល - អតិបរមា: 900mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

ចំណែកផ្នែក: 9992

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 5.3V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 11.2GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 12.5dB, ថាមពល - អតិបរមា: 900mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 176440

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 5V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 4GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 4.5dBi, ថាមពល - អតិបរមា: 100mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

ចំណែកផ្នែក: 7065

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, ភាពញឹកញាប់ - ដំណើរផ្លាស់ប្តូរ: 7GHz, រូបភាពសំលេងរំខាន (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, ទទួលបាន: 11.5dB, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា