Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ
CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 99

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 9V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 140

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 137

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 28.8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 176

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±9.68%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 141

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 172

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 21V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 86

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 17V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 127

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 16V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 153

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 98

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 114

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 19V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 118

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 13V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 89

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 142

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 65 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 37.6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 173943

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 10V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 170

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 34.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 150

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 31.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 8202

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 3906

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 16V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 8171

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 65 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 37.6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 8174

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 21V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 5464

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 26.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 8245

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 8173

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 152718

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 127852

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 4.9V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 138193

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 4.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

ចំណែកផ្នែក: 5349

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

ចំណែកផ្នែក: 5364

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±10%, ថាមពល - អតិបរមា: 700mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 13V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា