Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - អារេ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - អារេ
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

ចំណែកផ្នែក: 155661

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

ចំណែកផ្នែក: 100168

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

ចំណែកផ្នែក: 117289

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

ចំណែកផ្នែក: 155823

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 171

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual) Common Base, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

ចំណែកផ្នែក: 167274

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN4C06J-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

ចំណែកផ្នែក: 141983

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual) Common Emitter, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

ចំណែកផ្នែក: 156520

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

ចំណែកផ្នែក: 4654

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

ចំណែកផ្នែក: 124479

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

ចំណែកផ្នែក: 4497

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

ចំណែកផ្នែក: 4567

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN1C01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

ចំណែកផ្នែក: 178604

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

ចំណែកផ្នែក: 149134

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, 700mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

ចំណែកផ្នែក: 133632

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

ចំណែកផ្នែក: 4470

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

ចំណែកផ្នែក: 4484

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TPCP8701(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

ចំណែកផ្នែក: 131

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 140mV @ 20mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

ចំណែកផ្នែក: 4503

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 7 NPN Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.6V @ 500µA, 350mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

ចំណែកផ្នែក: 154422

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

ចំណែកផ្នែក: 4508

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 175513

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា