Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
APT40GP60BG
Microsemi Corporation

APT40GP60BG

ចំណែកផ្នែក: 6764

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GP90KG
Microsemi Corporation

APT15GP90KG

ចំណែកផ្នែក: 6829

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 43A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GP90BG
Microsemi Corporation

APT15GP90BG

ចំណែកផ្នែក: 9246

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 43A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GP60LDLG
Microsemi Corporation

APT30GP60LDLG

ចំណែកផ្នែក: 7363

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GP90BDQ1G
Microsemi Corporation

APT25GP90BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 7620

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 72A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 110A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GS60BRDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 6273

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 93A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 195A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.15V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 415W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GP60BDLG
Microsemi Corporation

APT15GP60BDLG

ចំណែកផ្នែក: 9155

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 56A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 65A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT95GR65JDU60
Microsemi Corporation

APT95GR65JDU60

ចំណែកផ្នែក: 6813

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 380A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 95A, ថាមពល - អតិបរមា: 446W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT70GR65B2SCD30
Microsemi Corporation

APT70GR65B2SCD30

ចំណែកផ្នែក: 5004

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 134A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 260A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 595W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT45GR65BSCD10
Microsemi Corporation

APT45GR65BSCD10

ចំណែកផ្នែក: 8278

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 118A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 224A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT45GR65SSCD10
Microsemi Corporation

APT45GR65SSCD10

ចំណែកផ្នែក: 7499

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 118A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 224A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GP60LDLG
Microsemi Corporation

APT50GP60LDLG

ចំណែកផ្នែក: 6759

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 190A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GS60KRG
Microsemi Corporation

APT30GS60KRG

ចំណែកផ្នែក: 6751

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 113A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.15V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GR120B2SCD10
Microsemi Corporation

APT40GR120B2SCD10

ចំណែកផ្នែក: 3452

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 88A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GR120BSCD10
Microsemi Corporation

APT25GR120BSCD10

ចំណែកផ្នែក: 4673

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 521W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT44GA60B
Microsemi Corporation

APT44GA60B

ចំណែកផ្នែក: 13747

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 78A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 130A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 26A, ថាមពល - អតិបរមា: 337W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT102GA60B2
Microsemi Corporation

APT102GA60B2

ចំណែកផ្នែក: 6806

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 183A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 307A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 62A, ថាមពល - អតិបរមា: 780W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT100GT60B2RG
Microsemi Corporation

APT100GT60B2RG

ចំណែកផ្នែក: 5319

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 148A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GS60BRDLG
Microsemi Corporation

APT30GS60BRDLG

ចំណែកផ្នែក: 9592

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 113A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.15V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN60B2DQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN60B2DQ3G

ចំណែកផ្នែក: 6653

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 155A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GP90B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT40GP90B2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 4308

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 101A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GP90BG
Microsemi Corporation

APT25GP90BG

ចំណែកផ្នែក: 8250

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 72A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 110A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GT60KRG
Microsemi Corporation

APT30GT60KRG

ចំណែកផ្នែក: 6650

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 110A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT20GN60BG
Microsemi Corporation

APT20GN60BG

ចំណែកផ្នែក: 23508

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 136W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT20GT60BRG
Microsemi Corporation

APT20GT60BRG

ចំណែកផ្នែក: 13897

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 43A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 174W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT20GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GF120BRDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 6633

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 36A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 64A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 200W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT20GF120BRG
Microsemi Corporation

APT20GF120BRG

ចំណែកផ្នែក: 6692

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 32A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 64A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 200W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GT60KRG
Microsemi Corporation

APT15GT60KRG

ចំណែកផ្នែក: 6607

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 184W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GP60KG
Microsemi Corporation

APT15GP60KG

ចំណែកផ្នែក: 5709

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 56A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 65A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GN120KG
Microsemi Corporation

APT15GN120KG

ចំណែកផ្នែក: 6596

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 195W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT13GP120KG
Microsemi Corporation

APT13GP120KG

ចំណែកផ្នែក: 6676

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 13A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT11GP60BDQBG
Microsemi Corporation

APT11GP60BDQBG

ចំណែកផ្នែក: 6595

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 11A, ថាមពល - អតិបរមា: 187W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT11GF120KRG
Microsemi Corporation

APT11GF120KRG

ចំណែកផ្នែក: 6674

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 44A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 8A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT11GF120BRDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 6645

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 24A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 8A, ថាមពល - អតិបរមា: 156W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GP90BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GP90BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 9002

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 43A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GP60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GP60BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 12383

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 56A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 65A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា