Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
APT85GR120B2
Microsemi Corporation

APT85GR120B2

ចំណែកផ្នែក: 4316

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 170A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 340A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 85A, ថាមពល - អតិបរមា: 962W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT45GR65B
Microsemi Corporation

APT45GR65B

ចំណែកផ្នែក: 10884

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 92A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 168A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GR120SD15
Microsemi Corporation

APT25GR120SD15

ចំណែកផ្នែក: 6784

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 521W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GS60BRDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 8545

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 113A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.15V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT35GA90BD15
Microsemi Corporation

APT35GA90BD15

ចំណែកផ្នែក: 8990

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 63A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 105A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 18A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GP120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT25GP120BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 5387

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 69A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GR120B
Microsemi Corporation

APT40GR120B

ចំណែកផ្នែក: 7864

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 88A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GF120LRG
Microsemi Corporation

APT50GF120LRG

ចំណែកផ្នែក: 3226

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 781W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT36GA60B
Microsemi Corporation

APT36GA60B

ចំណែកផ្នែក: 10848

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 109A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GN120SG
Microsemi Corporation

APT25GN120SG

ចំណែកផ្នែក: 7823

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 67A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 272W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT45GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT45GP120B2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 3343

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 113A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 170A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT65GP60B2G
Microsemi Corporation

APT65GP60B2G

ចំណែកផ្នែក: 3477

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 250A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT33GF120BRG
Microsemi Corporation

APT33GF120BRG

ចំណែកផ្នែក: 6611

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 52A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 104A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 297W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT80GA60LD40
Microsemi Corporation

APT80GA60LD40

ចំណែកផ្នែក: 5111

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 143A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 47A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT50GN120L2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 3928

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 134A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT60BRDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 8198

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 446W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GR120BD15
Microsemi Corporation

APT25GR120BD15

ចំណែកផ្នែក: 8367

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 521W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT27GA90BD15
Microsemi Corporation

APT27GA90BD15

ចំណែកផ្នែក: 9145

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 48A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 79A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 14A, ថាមពល - អតិបរមា: 223W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GT120BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT25GT120BRDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 7393

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 347W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GT120BRG
Microsemi Corporation

APT25GT120BRG

ចំណែកផ្នែក: 9392

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 54A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 347W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT120B2RG
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RG

ចំណែកផ្នែក: 4226

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 94A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN120LG
Microsemi Corporation

APT75GN120LG

ចំណែកផ្នែក: 4252

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GR120B
Microsemi Corporation

APT25GR120B

ចំណែកផ្នែក: 10487

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 521W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GT60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GT60BRDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 10975

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 110A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GT60BRG
Microsemi Corporation

APT40GT60BRG

ចំណែកផ្នែក: 7056

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 345W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT60GT60BRG
Microsemi Corporation

APT60GT60BRG

ចំណែកផ្នែក: 6334

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 360A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 60A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT65GP60L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT65GP60L2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 3385

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 198A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 250A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 65A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GP120B2G
Microsemi Corporation

APT75GP120B2G

ចំណែកផ្នែក: 2676

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 1042W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN120B2G
Microsemi Corporation

APT75GN120B2G

ចំណែកផ្នែក: 5110

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 833W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT50GP60B2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 4373

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 190A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT40GP60B2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 4770

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GP60BG
Microsemi Corporation

APT50GP60BG

ចំណែកផ្នែក: 5801

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 190A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GP60SG
Microsemi Corporation

APT40GP60SG

ចំណែកផ្នែក: 6297

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GR120SSCD10
Microsemi Corporation

APT25GR120SSCD10

ចំណែកផ្នែក: 4355

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 521W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT44GA60BD30C
Microsemi Corporation

APT44GA60BD30C

ចំណែកផ្នែក: 6845

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 78A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 130A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.6V @ 15V, 26A, ថាមពល - អតិបរមា: 337W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT33GF120LRDQ2G
Microsemi Corporation

APT33GF120LRDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 6891

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W,

បញ្ជីប្រាថ្នា