Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation

APT150GN60LDQ4G

ចំណែកផ្នែក: 3228

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 450A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GN60BDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GN60BDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 9330

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 107A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 366W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GT60BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GT60BRDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 20246

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 184W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT68GA60B2D40
Microsemi Corporation

APT68GA60B2D40

ចំណែកផ្នែក: 6971

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 121A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 202A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN60LDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN60LDQ3G

ចំណែកផ្នែក: 5921

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 155A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation

APT68GA60LD40

ចំណែកផ្នែក: 6948

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 121A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 202A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT45GR65B2DU30
Microsemi Corporation

APT45GR65B2DU30

ចំណែកផ្នែក: 10147

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 118A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 224A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT70GR65B2DU40
Microsemi Corporation

APT70GR65B2DU40

ចំណែកផ្នែក: 8839

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 134A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 280A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 595W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GP90BG
Microsemi Corporation

APT40GP90BG

ចំណែកផ្នែក: 4206

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT44GA60BD30
Microsemi Corporation

APT44GA60BD30

ចំណែកផ្នែក: 10083

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 78A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 130A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 26A, ថាមពល - អតិបរមា: 337W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT80GA90LD40
Microsemi Corporation

APT80GA90LD40

ចំណែកផ្នែក: 5400

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 145A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 239A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 47A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT64GA90B
Microsemi Corporation

APT64GA90B

ចំណែកផ្នែក: 8162

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 117A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 193A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 38A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT64GA90LD30
Microsemi Corporation

APT64GA90LD30

ចំណែកផ្នែក: 6579

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 117A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 193A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 38A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT54GA60B
Microsemi Corporation

APT54GA60B

ចំណែកផ្នែក: 11075

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 96A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 161A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 32A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT120B2RDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 4613

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 94A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GN120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT25GN120B2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 7473

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 67A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 272W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GT120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GT120BRDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 11168

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 36A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.6V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT45GP120BG
Microsemi Corporation

APT45GP120BG

ចំណែកផ្នែក: 3545

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 170A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 45A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GN120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GN120BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 10827

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 195W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT120LRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT120LRDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 4370

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 106A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 694W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT35GA90B
Microsemi Corporation

APT35GA90B

ចំណែកផ្នែក: 14857

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 63A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 105A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 18A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT200GN60B2G
Microsemi Corporation

APT200GN60B2G

ចំណែកផ្នែក: 3095

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 283A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 600A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 200A, ថាមពល - អតិបរមា: 682W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT102GA60L
Microsemi Corporation

APT102GA60L

ចំណែកផ្នែក: 4595

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 183A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 307A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 62A, ថាមពល - អតិបរមា: 780W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT80GA90B
Microsemi Corporation

APT80GA90B

ចំណែកផ្នែក: 6126

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 145A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 239A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 47A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT13GP120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT13GP120BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 9652

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 13A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT54GA60BD30
Microsemi Corporation

APT54GA60BD30

ចំណែកផ្នែក: 9202

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 96A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 161A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 32A, ថាមពល - អតិបរមា: 416W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT100GN120B2G
Microsemi Corporation

APT100GN120B2G

ចំណែកផ្នែក: 2601

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 245A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 960W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT35GN120BG
Microsemi Corporation

APT35GN120BG

ចំណែកផ្នែក: 7198

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 94A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 105A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 379W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GP60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT30GP60BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 6297

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT43GA90B
Microsemi Corporation

APT43GA90B

ចំណែកផ្នែក: 9181

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 78A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 129A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 337W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT60BRG
Microsemi Corporation

APT50GT60BRG

ចំណែកផ្នែក: 10003

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 110A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 446W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT33GF120B2RDQ2G
Microsemi Corporation

APT33GF120B2RDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 3825

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 357W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT20GT60BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GT60BRDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 9530

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 43A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 174W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT43GA90BD30
Microsemi Corporation

APT43GA90BD30

ចំណែកផ្នែក: 7291

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 78A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 129A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 47A, ថាមពល - អតិបរមា: 337W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT95GR65B2
Microsemi Corporation

APT95GR65B2

ចំណែកផ្នែក: 6557

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 208A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 400A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 95A, ថាមពល - អតិបរមា: 892W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT100GN60LDQ4G
Microsemi Corporation

APT100GN60LDQ4G

ចំណែកផ្នែក: 4644

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 229A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា