Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ
APT85GR120L
Microsemi Corporation

APT85GR120L

ចំណែកផ្នែក: 4352

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 170A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 340A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 85A, ថាមពល - អតិបរមា: 962W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

ចំណែកផ្នែក: 5459

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 117A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 193A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.1V @ 15V, 38A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GR120S
Microsemi Corporation

APT25GR120S

ចំណែកផ្នែក: 8706

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 521W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 3425

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 96A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 140A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GP60BG
Microsemi Corporation

APT30GP60BG

ចំណែកផ្នែក: 6877

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GN120BG
Microsemi Corporation

APT25GN120BG

ចំណែកផ្នែក: 9003

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 67A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 272W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GR120B2
Microsemi Corporation

APT50GR120B2

ចំណែកផ្នែក: 6076

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 117A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 694W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

ចំណែកផ្នែក: 3743

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 106A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.7V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 694W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT80GA60B
Microsemi Corporation

APT80GA60B

ចំណែកផ្នែក: 6029

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 143A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 47A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT36GA60BD15
Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

ចំណែកផ្នែក: 8494

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 65A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 109A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 290W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GR120B2D30
Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

ចំណែកផ្នែក: 5976

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 88A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT70GR120B2
Microsemi Corporation

APT70GR120B2

ចំណែកផ្នែក: 5872

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 280A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 961W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT70GR120L
Microsemi Corporation

APT70GR120L

ចំណែកផ្នែក: 5006

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 160A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 280A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 961W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT70GR65B
Microsemi Corporation

APT70GR65B

ចំណែកផ្នែក: 9503

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 134A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 260A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.4V @ 15V, 70A, ថាមពល - អតិបរមា: 595W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT40GR120S
Microsemi Corporation

APT40GR120S

ចំណែកផ្នែក: 6836

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 88A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

ចំណែកផ្នែក: 6219

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 134A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT35GP120BG
Microsemi Corporation

APT35GP120BG

ចំណែកផ្នែក: 4037

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 96A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 140A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 543W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GR120L
Microsemi Corporation

APT50GR120L

ចំណែកផ្នែក: 7440

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 117A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.2V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 694W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT25GP120BG
Microsemi Corporation

APT25GP120BG

ចំណែកផ្នែក: 6960

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 69A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 417W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT13GP120BG
Microsemi Corporation

APT13GP120BG

ចំណែកផ្នែក: 10841

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 41A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.9V @ 15V, 13A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT68GA60B
Microsemi Corporation

APT68GA60B

ចំណែកផ្នែក: 7230

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 121A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 202A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 520W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

ចំណែកផ្នែក: 5728

ប្រភេទ IGBT: NPT, Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 94A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 105A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 35A, ថាមពល - អតិបរមា: 379W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GT60BRG
Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

ចំណែកផ្នែក: 17440

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 42A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 184W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GS60BRDLG
Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

ចំណែកផ្នែក: 7256

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 93A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 195A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.15V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 415W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT100GN60B2G
Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

ចំណែកផ្នែក: 6392

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 229A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 300A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 100A, ថាមពល - អតិបរមា: 625W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GT60BRG
Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

ចំណែកផ្នែក: 10467

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 64A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 110A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT75GN60BG
Microsemi Corporation

APT75GN60BG

ចំណែកផ្នែក: 8678

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 155A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 225A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 75A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT150GN60B2G
Microsemi Corporation

APT150GN60B2G

ចំណែកផ្នែក: 3491

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 220A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 450A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 536W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GN60BG
Microsemi Corporation

APT50GN60BG

ចំណែកផ្នែក: 13902

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 107A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.85V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 366W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GS60BRG
Microsemi Corporation

APT50GS60BRG

ចំណែកផ្នែក: 9786

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 93A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 195A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.15V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 415W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GN60BG
Microsemi Corporation

APT30GN60BG

ចំណែកផ្នែក: 19623

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 63A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 203W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT50GF120B2RG
Microsemi Corporation

APT50GF120B2RG

ចំណែកផ្នែក: 3865

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 135A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 781W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT15GT120BRG
Microsemi Corporation

APT15GT120BRG

ចំណែកផ្នែក: 12117

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 36A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.6V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GP60B2DLG
Microsemi Corporation

APT30GP60B2DLG

ចំណែកផ្នែក: 7454

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.7V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 463W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT30GN60BDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GN60BDQ2G

ចំណែកផ្នែក: 14922

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 63A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 203W,

បញ្ជីប្រាថ្នា
APT20GN60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GN60BDQ1G

ចំណែកផ្នែក: 20011

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 136W,

បញ្ជីប្រាថ្នា