ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZT52C5V1-G3-18

BZT52C5V1-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 116254

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 800mV,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C10-G3-18

BZT52C10-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 160157

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5.2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 7.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C7V5-G3-18

BZT52C7V5-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 101463

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C22-HE3-08

BZT52C22-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 132453

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 17V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C56-HE3-18

BZX384C56-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 149371

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 39.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C51-E3-18

BZT52C51-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 113368

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 51V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 38V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C2V7-HE3-08

BZT52C2V7-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 100977

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 75 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B7V5-E3-18

BZX384B7V5-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 170389

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B3V6-HE3-08

BZX384B3V6-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 167907

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C2V4-G3-18

BZX384C2V4-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 192033

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C62-E3-08

BZX384C62-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 103660

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 215 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 43.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B43-E3-18

BZT52B43-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 127569

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 32V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B11-G3-08

BZT52B11-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 172743

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C11-HE3-08

BZT52C11-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 163366

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C75-G3-18

BZX384C75-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 117073

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 255 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 52.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C43-G3-18

BZX384C43-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 192027

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 30.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B30-G3-08

BZX384B30-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 154396

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 21V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B75-HE3-08

BZT52B75-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 180858

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 250 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C3V3-E3-08

BZX384C3V3-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 167219

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B8V2-HE3-18

BZX384B8V2-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 193429

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 700nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C6V2-HE3-08

BZX384C6V2-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 125197

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C7V5-E3-18

BZX384C7V5-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 187822

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C8V2-HE3-08

BZT52C8V2-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 158182

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C7V5-HE3-08

BZT52C7V5-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 149650

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B39-G3-18

BZX384B39-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 135845

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 130 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 27.3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C47-G3-08

BZT52C47-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 120749

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B33-HE3-08

BZX384B33-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 104509

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 23.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C2V7-G3-18

BZT52C2V7-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 113705

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 75 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B18-HE3-18

BZX384B18-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 134516

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 12.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C7V5-G3-08

BZT52C7V5-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 139858

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C4V3-E3-18

BZX384C4V3-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 107077

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C68-E3-08

BZT52C68-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 118701

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B56-E3-18

BZT52B56-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 155265

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 135 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C6V2-E3-18

BZX384C6V2-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 133123

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B3V0-E3-18

BZX384B3V0-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 180900

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B5V6-E3-18

BZT52B5V6-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 125417

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា