ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZX384B62-HE3-08

BZX384B62-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 137477

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 215 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 43.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B3V6-G3-18

BZX384B3V6-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 173228

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C36-HE3-08

BZX384C36-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 151927

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 25.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B43-G3-08

BZT52B43-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 136643

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 32V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C5V1-G3-18

BZX384C5V1-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 144290

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B2V4-HE3-18

BZT52B2V4-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 189812

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B20-HE3-18

BZX384B20-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 105517

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 14V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B3V9-HE3-18

BZX384B3V9-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 142019

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C6V8-G3-08

BZX384C6V8-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 153361

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B30-E3-18

BZT52B30-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 174688

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 22.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C39-HE3-08

BZT52C39-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 173216

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 29V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C68-HE3-18

BZX384C68-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 114307

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 240 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 47.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B47-HE3-08

BZT52B47-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 164942

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C24-G3-18

BZX384C24-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 194882

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 16.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C7V5-E3-18

BZT52C7V5-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 107731

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C9V1-E3-18

BZX384C9V1-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 177279

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B3V0-G3-08

BZT52B3V0-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 174331

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C47-HE3-18

BZT52C47-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 175116

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C3V6-HE3-18

BZT52C3V6-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 146905

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B7V5-E3-08

BZT52B7V5-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 116178

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C8V2-E3-18

BZX384C8V2-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 134620

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 700nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C51-G3-18

BZX384C51-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 189029

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 51V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 180 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 35.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C33-HE3-18

BZT52C33-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 126962

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 25V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C16-HE3-18

BZT52C16-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 111724

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 13 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 12V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B36-HE3-18

BZT52B36-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 108606

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 27V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C2V4-HE3-08

BZX384C2V4-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 180736

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B75-E3-08

BZX384B75-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 144994

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 255 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 52.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C11-E3-18

BZT52C11-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 141282

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B8V2-HE3-18

BZT52B8V2-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 192247

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C11-G3-18

BZT52C11-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 121259

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C39-HE3-18

BZT52C39-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 149601

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 29V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C8V2-G3-08

BZX384C8V2-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 169027

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 700nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C36-G3-18

BZT52C36-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 145478

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 27V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C6V2-G3-18

BZX384C6V2-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 197760

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C13-G3-18

BZX384C13-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 177899

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C15-G3-18

BZX384C15-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 144533

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 10.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា