ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZX384B30-G3-18

BZX384B30-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 102646

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 21V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B62-HE3-18

BZT52B62-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 119728

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C8V2-E3-18

BZT52C8V2-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 127534

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B47-G3-08

BZT52B47-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 151560

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B47-E3-18

BZT52B47-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 152394

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C39-G3-18

BZT52C39-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 117841

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 29V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B11-G3-18

BZT52B11-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 103145

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C9V1-HE3-18

BZX384C9V1-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 119168

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C62-G3-08

BZX384C62-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 117690

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 215 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 43.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B68-HE3-18

BZX384B68-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 104759

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 240 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 47.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B22-HE3-08

BZX384B22-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 196660

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 15.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B24-G3-08

BZX384B24-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 110091

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 16.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C6V8-HE3-08

BZX384C6V8-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 162693

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C18-HE3-18

BZX384C18-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 172899

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 12.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B68-E3-18

BZX384B68-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 157407

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 240 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 47.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C36-G3-18

BZX384C36-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 113145

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 25.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B10-E3-08

BZX384B10-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 140664

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B5V1-E3-08

BZX384B5V1-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 155535

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B2V7-E3-08

BZX384B2V7-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 152371

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 20nA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B12-HE3-08

BZT52B12-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 182081

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 9V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C33-E3-08

BZX384C33-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 156893

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 23.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C2V7-HE3-08

BZX384C2V7-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 133595

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 20µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C3V0-E3-18

BZX384C3V0-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 360

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C9V1-G3-08

BZT52C9V1-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 189980

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B4V7-G3-18

BZT52B4V7-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 114151

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B7V5-E3-18

BZT52B7V5-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 131192

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B51-E3-18

BZT52B51-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 198688

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 51V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 38V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C20-HE3-18

BZT52C20-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 151215

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 15V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C24-G3-08

BZX384C24-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 194933

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 16.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C18-G3-18

BZT52C18-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 154827

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 18 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 14V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C62-G3-18

BZT52C62-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 146609

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B2V7-E3-18

BZT52B2V7-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 197035

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 75 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C6V2-G3-08

BZX384C6V2-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 104690

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C15-G3-18

BZT52C15-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 184753

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 11 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 11V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B43-HE3-08

BZT52B43-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 104843

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 32V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C56-G3-08

BZX384C56-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 107577

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 39.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា