ការចងចាំ

M95040-WMN6T

M95040-WMN6T

ចំណែកផ្នែក: 1124

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 20MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C4001-12C1

M27C4001-12C1

ចំណែកផ្នែក: 8120

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C66-WMN6

M93C66-WMN6

ចំណែកផ្នែក: 1291

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C86-MN6T

M93C86-MN6T

ចំណែកផ្នែក: 1149

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C4001-12F1

M27C4001-12F1

ចំណែកផ្នែក: 8066

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C256B-15F1

M27C256B-15F1

ចំណែកផ្នែក: 7990

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C1001-12C1

M27C1001-12C1

ចំណែកផ្នែក: 7518

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z35Y-70MH1E

M48Z35Y-70MH1E

ចំណែកផ្នែក: 1639

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-12C1

M27C512-12C1

ចំណែកផ្នែក: 823

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C64-WMN6T

M24C64-WMN6T

ចំណែកផ្នែក: 9345

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C66-MN6

M93C66-MN6

ចំណែកផ្នែក: 1331

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C02-WDW6T

M24C02-WDW6T

ចំណែកផ្នែក: 9231

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DSM2180F3-90K6

DSM2180F3-90K6

ចំណែកផ្នែក: 7463

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z12-200PC1

M48Z12-200PC1

ចំណែកផ្នែក: 1521

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C4001-10F1

M27C4001-10F1

ចំណែកផ្នែក: 8024

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29W800DB90N6T

M29W800DB90N6T

ចំណែកផ្នែក: 9214

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-15B1

M27C512-15B1

ចំណែកផ្នែក: 8241

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M58LW032D110ZA6

M58LW032D110ZA6

ចំណែកផ្នែក: 9031

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C4001-15C1

M27C4001-15C1

ចំណែកផ្នែក: 8145

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M34C02-LDW6TP

M34C02-LDW6TP

ចំណែកផ្នែក: 6103

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DSM2180F3V-15T6

DSM2180F3V-15T6

ចំណែកផ្នែក: 7464

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C256B-90C1

M27C256B-90C1

ចំណែកផ្នែក: 8016

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C1001-10C1

M27C1001-10C1

ចំណែកផ្នែក: 7461

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C04-WDW6T

M24C04-WDW6T

ចំណែកផ្នែក: 9276

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C46-BN6

M93C46-BN6

ចំណែកផ្នែក: 1072

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M68AW512ML70ND6

M68AW512ML70ND6

ចំណែកផ្នែក: 9087

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 8Mb (512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C02-WBN6

M24C02-WBN6

ចំណែកផ្នែក: 9460

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

ចំណែកផ្នែក: 5796

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C256B-70C1

M27C256B-70C1

ចំណែកផ្នែក: 7936

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-12B1

M27C512-12B1

ចំណែកផ្នែក: 8221

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M28W320CT90N6

M28W320CT90N6

ចំណែកផ្នែក: 8718

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C4001-10B1

M27C4001-10B1

ចំណែកផ្នែក: 8075

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C1001-15B1

M27C1001-15B1

ចំណែកផ្នែក: 830

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-10F1

M27C512-10F1

ចំណែកផ្នែក: 8225

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND512R3A3AZA6E

NAND512R3A3AZA6E

ចំណែកផ្នែក: 7641

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93S46-WMN6

M93S46-WMN6

ចំណែកផ្នែក: 1217

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា