ការចងចាំ

M27C256B-70C6

M27C256B-70C6

ចំណែកផ្នែក: 548

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z2M1V-85PL1

M48Z2M1V-85PL1

ចំណែកផ្នែក: 882

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 85ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z2M1Y-70PL1

M48Z2M1Y-70PL1

ចំណែកផ្នែក: 975

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C2001-12C1

M27C2001-12C1

ចំណែកផ្នែក: 8809

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C801-55K1

M27C801-55K1

ចំណែកផ្នែក: 8813

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND512W3A2BZA6E

NAND512W3A2BZA6E

ចំណែកផ្នែក: 8588

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DSM2180F3-90T6

DSM2180F3-90T6

ចំណែកផ្នែក: 758

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C4001-12B1

M27C4001-12B1

ចំណែកផ្នែក: 8071

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-15F6

M27C512-15F6

ចំណែកផ្នែក: 8359

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95020-MN6

M95020-MN6

ចំណែកផ្នែក: 1368

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 10MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z512AY-70PM1

M48Z512AY-70PM1

ចំណែកផ្នែក: 1798

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z02-200PC1

M48Z02-200PC1

ចំណែកផ្នែក: 1196

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C1001-70F1

M27C1001-70F1

ចំណែកផ្នែក: 7801

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DSM2190F4V-15K6

DSM2190F4V-15K6

ចំណែកផ្នែក: 7506

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29W160EB70ZA6

M29W160EB70ZA6

ចំណែកផ្នែក: 1772

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M25P40-VMP6

M25P40-VMP6

ចំណែកផ្នែក: 7412

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 50MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms, 15ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND512W3A0AN6E

NAND512W3A0AN6E

ចំណែកផ្នែក: 7575

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24128-BWMN6

M24128-BWMN6

ចំណែកផ្នែក: 9408

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C256B-15C1

M27C256B-15C1

ចំណែកផ្នែក: 7941

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND512W3A0AV6E

NAND512W3A0AV6E

ចំណែកផ្នែក: 7588

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C256B-12C6

M27C256B-12C6

ចំណែកផ្នែក: 7853

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C64A-10F1

M27C64A-10F1

ចំណែកផ្នែក: 8589

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M68AW256ML70ZB6

M68AW256ML70ZB6

ចំណែកផ្នែក: 9111

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C256B-12C1

M27C256B-12C1

ចំណែកផ្នែក: 7855

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
DSM2180F3V-15K6

DSM2180F3V-15K6

ចំណែកផ្នែក: 7440

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z128-70PM1

M48Z128-70PM1

ចំណែកផ្នែក: 1546

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C16-WMN6T

M24C16-WMN6T

ចំណែកផ្នែក: 9273

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M68AW128ML70ZB6

M68AW128ML70ZB6

ចំណែកផ្នែក: 9082

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 2Mb (128K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z512A-70PM1

M48Z512A-70PM1

ចំណែកផ្នែក: 1851

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-12C6

M27C512-12C6

ចំណែកផ្នែក: 8210

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C56-WMN6T

M93C56-WMN6T

ចំណែកផ្នែក: 1219

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M34C02-LDW6T

M34C02-LDW6T

ចំណែកផ្នែក: 9416

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93S56-MN6

M93S56-MN6

ចំណែកផ្នែក: 1254

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (128 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DSM2190F4V-15T6

DSM2190F4V-15T6

ចំណែកផ្នែក: 7444

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M30LW128D110N6

M30LW128D110N6

ចំណែកផ្នែក: 9053

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 110ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C1001-10B1

M27C1001-10B1

ចំណែកផ្នែក: 7502

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា