ការចងចាំ

M93C86-MN6P

M93C86-MN6P

ចំណែកផ្នែក: 116586

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M34D64-WMN6P

M34D64-WMN6P

ចំណែកផ្នែក: 8393

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M48Z02-150PC1

M48Z02-150PC1

ចំណែកផ្នែក: 9203

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95256-WMW6G

M95256-WMW6G

ចំណែកផ្នែក: 9668

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 10MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND01GW3B2AN6F

NAND01GW3B2AN6F

ចំណែកផ្នែក: 9787

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C86-WBN6P

M93C86-WBN6P

ចំណែកផ្នែក: 9467

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND128W3A0AN6E

NAND128W3A0AN6E

ចំណែកផ្នែក: 9985

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C46-WBN6P

M93C46-WBN6P

ចំណែកផ្នែក: 9367

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93S56-WBN6P

M93S56-WBN6P

ចំណែកផ្នែក: 9557

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (128 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95080-MN6T

M95080-MN6T

ចំណែកផ្នែក: 9589

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 10MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND512W3A0AN6

NAND512W3A0AN6

ចំណែកផ្នែក: 9966

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29W200BB70M1

M29W200BB70M1

ចំណែកផ្នែក: 7753

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29F080D70N1

M29F080D70N1

ចំណែកផ្នែក: 6752

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C56-WBN6

M93C56-WBN6

ចំណែកផ្នែក: 9400

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C76-WMN6T

M93C76-WMN6T

ចំណែកផ្នែក: 9471

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND512W3A2BN6F

NAND512W3A2BN6F

ចំណែកផ្នែក: 10039

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C76-WMN6P

M93C76-WMN6P

ចំណែកផ្នែក: 9406

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND256W3A0AN6F

NAND256W3A0AN6F

ចំណែកផ្នែក: 9948

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95160-MN6P

M95160-MN6P

ចំណែកផ្នែក: 9628

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 10MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29W040B90K1

M29W040B90K1

ចំណែកផ្នែក: 7500

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29W010B90N1

M29W010B90N1

ចំណែកផ្នែក: 7416

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C56-MN6TP

M93C56-MN6TP

ចំណែកផ្នែក: 9395

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C76-MN6TP

M93C76-MN6TP

ចំណែកផ្នែក: 9470

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95128-WMN6T

M95128-WMN6T

ចំណែកផ្នែក: 9665

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 20MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND01GW4B2AN6E

NAND01GW4B2AN6E

ចំណែកផ្នែក: 9800

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29F200BB45N1

M29F200BB45N1

ចំណែកផ្នែក: 6796

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M59DR032EA10ZB6T

M59DR032EA10ZB6T

ចំណែកផ្នែក: 9284

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C46-RDS6TG

M93C46-RDS6TG

ចំណែកផ្នែក: 9316

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M87C257-15C6

M87C257-15C6

ចំណែកផ្នែក: 9232

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND256W3A0AN6

NAND256W3A0AN6

ចំណែកផ្នែក: 9891

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95080-WMN6

M95080-WMN6

ចំណែកផ្នែក: 9642

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 20MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M36DR432AD10ZA6T

M36DR432AD10ZA6T

ចំណែកផ្នែក: 8420

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND02GW3B2AN6F

NAND02GW3B2AN6F

ចំណែកផ្នែក: 10039

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 30ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M58LW032D90ZA6

M58LW032D90ZA6

ចំណែកផ្នែក: 9102

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95160-MN6TP

M95160-MN6TP

ចំណែកផ្នែក: 9724

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 10MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93S66-WBN6

M93S66-WBN6

ចំណែកផ្នែក: 9598

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា