ការចងចាំ

M93C56-WBN6P

M93C56-WBN6P

ចំណែកផ្នែក: 9448

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95640-MN6P

M95640-MN6P

ចំណែកផ្នែក: 9793

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 20MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29W200BB55N1

M29W200BB55N1

ចំណែកផ្នែក: 7688

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29F080D90N1

M29F080D90N1

ចំណែកផ្នែក: 6810

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29F200BB50N3

M29F200BB50N3

ចំណែកផ្នែក: 6801

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95040-WMN6

M95040-WMN6

ចំណែកផ្នែក: 9625

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 20MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93C46-MN6TP

M93C46-MN6TP

ចំណែកផ្នែក: 9342

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M87C257-15C1

M87C257-15C1

ចំណែកផ្នែក: 9939

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M58LW032C90ZA1

M58LW032C90ZA1

ចំណែកផ្នែក: 9145

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M58WR064EB70ZB6T

M58WR064EB70ZB6T

ចំណែកផ្នែក: 9265

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 66MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29F400BB70N3T

M29F400BB70N3T

ចំណែកផ្នែក: 6972

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NAND128W3A0AN6

NAND128W3A0AN6

ចំណែកផ្នែក: 9870

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 50ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95640-WDW6TG

M95640-WDW6TG

ចំណែកផ្នែក: 7010

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 20MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95080-MN6TP

M95080-MN6TP

ចំណែកផ្នែក: 9588

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 10MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M50LPW116N1

M50LPW116N1

ចំណែកផ្នែក: 9095

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M95320-MN3/B

M95320-MN3/B

ចំណែកផ្នែក: 10064

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 32Kb (4K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 10MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29F080D70M6

M29F080D70M6

ចំណែកផ្នែក: 6678

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M93S66-WMN6T

M93S66-WMN6T

ចំណែកផ្នែក: 10023

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C2001-70C6TR

M27C2001-70C6TR

ចំណែកផ្នែក: 4404

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-90F6

M27C512-90F6

ចំណែកផ្នែក: 5097

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C16-MN6

M24C16-MN6

ចំណែកផ្នែក: 3231

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C02-WMN6P

M24C02-WMN6P

ចំណែកផ្នែក: 2957

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M25P80-VMW6

M25P80-VMW6

ចំណែកផ្នែក: 1223

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 75MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms, 15ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C801-100K1

M27C801-100K1

ចំណែកផ្នែក: 5241

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C4002-12F1

M27C4002-12F1

ចំណែកផ្នែក: 4906

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C16-WMN6P

M24C16-WMN6P

ចំណែកផ្នែក: 9386

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C2001-10C1

M27C2001-10C1

ចំណែកផ្នែក: 4241

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C256B-10C6TR

M27C256B-10C6TR

ចំណែកផ្នែក: 4592

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C01-WMN6P

M24C01-WMN6P

ចំណែកផ្នែក: 2844

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (128 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27W401-80B6

M27W401-80B6

ចំណែកផ្នែក: 5605

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C1001-12C1TR

M27C1001-12C1TR

ចំណែកផ្នែក: 4037

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C512-90C1

M27C512-90C1

ចំណែកផ្នែក: 5140

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27V160-100XB1

M27V160-100XB1

ចំណែកផ្នែក: 5380

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8, 1M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C08-WBN6P

M24C08-WBN6P

ចំណែកផ្នែក: 3044

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M24C04-WMN6P

M24C04-WMN6P

ចំណែកផ្នែក: 2931

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (512 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M27C1001-70B1

M27C1001-70B1

ចំណែកផ្នែក: 4105

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា