ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 17

2SB1326TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 6159

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 100mA, 4A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SB1243TV2R

ចំណែកផ្នែក: 6615

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SB1243TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 6121

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SB1241TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 6192

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SB1241TV2R

ចំណែកផ្នែក: 6178

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SB1238TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 6185

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SB1238TV2R

ចំណែកផ្នែក: 6169

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SA1776TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 6183

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SA1776TV2P

ចំណែកផ្នែក: 6166

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD2144STPV

ចំណែកផ្នែក: 6159

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 20mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD2033AT114E

ចំណែកផ្នែក: 6135

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 160V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SC5916TLQ

ចំណែកផ្នែក: 6136

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SC5824T100Q

ចំណែកផ្នែក: 131037

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SB1188T100Q

ចំណែកផ្នែក: 167618

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 800mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD2264TV2R

ចំណែកផ្នែក: 5587

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 100mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD2227STPW

ចំណែកផ្នែក: 5584

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1200 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD2144STPW

ចំណែកផ្នែក: 5545

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 20mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1963T100S

ចំណែកផ្នែក: 6640

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 450mV @ 150mA, 1.5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1867TV2

ចំណែកផ្នែក: 5590

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 1mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1862TV2R

ចំណែកផ្នែក: 5569

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 800mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1866TV2

ចំណែកផ្នែក: 5562

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 1mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1861TV2

ចំណែកផ្នែក: 5580

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 1.2mA, 600mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1862TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 5606

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 800mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1858TV2R

ចំណែកផ្នែក: 5602

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1858TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 5550

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1858TV2P

ចំណែកផ្នែក: 5559

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1857TV2R

ចំណែកផ្នែក: 5617

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1857TV2Q

ចំណែកផ្នែក: 5608

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1857ATV2Q

ចំណែកផ្នែក: 6642

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 160V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1857TV2P

ចំណែកផ្នែក: 5575

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1763AE

ចំណែកផ្នែក: 5587

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 160V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SD1857ATV2P

ចំណែកផ្នែក: 5586

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 160V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SC5732TLQ

ចំណែកផ្នែក: 5540

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SC5060TV2M

ចំណែកផ្នែក: 5604

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 90V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 1mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SC5731T100Q

ចំណែកផ្នែក: 5569

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

2SC4015TV2N

ចំណែកផ្នែក: 5531

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា