ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

Rohm Semiconductor

RGW60TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 180

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 178W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGW00TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW00TK65DGVC11

ចំណែកផ្នែក: 112

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 89W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT16NS65DGTL

ចំណែកផ្នែក: 95483

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 16A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 24A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 8A, ថាមពល - អតិបរមា: 94W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTH40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 25319

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 144W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 14392

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 85A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

ចំណែកផ្នែក: 77

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.0V @ 5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

ចំណែកផ្នែក: 110

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 33A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 72W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

ចំណែកផ្នែក: 164

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 33A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 76W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

ចំណែកផ្នែក: 130635

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 12A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 4A, ថាមពល - អតិបរមា: 65W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW00TK65GVC11

ចំណែកផ្នែក: 159

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 89W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTH80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 18067

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 234W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGPR20NS43HRTL

ចំណែកផ្នែក: 99

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 460V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.0V @ 5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 107W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT8BM65DTL

ចំណែកផ្នែក: 142805

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 12A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 4A, ថាមពល - អតិបរមា: 62W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW80TK65GVC11

ចំណែកផ្នែក: 118

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 39A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 81W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGS00TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

RGS00TS65DHRC11

ចំណែកផ្នែក: 112

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 88A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 326W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW00TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 2946

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 96A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 254W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 1596

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 234W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 17733

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 85A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 23036

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 174W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTV00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV00TK65GVC11

ចំណែកផ្នែក: 2933

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 94W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT40TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 25308

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 144W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTV00TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 2921

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 95A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 276W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

ចំណែកផ្នែក: 2956

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 33A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 72W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

ចំណែកផ្នែក: 2908

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 33A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 76W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 2780

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 194W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 30024

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 144W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW00TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 2662

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 96A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 254W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW80TK65DGVC11

ចំណែកផ្នែក: 2907

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 39A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 81W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT80TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 17933

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 234W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 2967

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 144A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 320A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 404W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTH50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 20954

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 174W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT00TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 2750

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 85A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 22572

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 58A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 197W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 22133

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 58A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 194W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW80TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 2917

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 78A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 214W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW60TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 2827

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 178W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

47

«
1
2
»