ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 2

RGTV00TK65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 2789

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 94W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 2739

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 194W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT50TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 20970

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 48A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 174W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGTV00TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 2823

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 95A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 276W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT60TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 22178

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 55A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 194W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGW80TS65GC11

ចំណែកផ្នែក: 2956

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 78A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 214W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT30NS65DGTL

ចំណែកផ្នែក: 76981

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 15A, ថាមពល - អតិបរមា: 133W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGPR30BM40HRTL

ចំណែកផ្នែក: 10769

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.0V @ 5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGPR10BM40FHTL

ចំណែកផ្នែក: 10770

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 460V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.0V @ 5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 107W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

ចំណែកផ្នែក: 64766

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 60A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 161W,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RGPZ10BM40FHTL

ចំណែកផ្នែក: 10827

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 460V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.0V @ 5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 107W,

បញ្ជីប្រាថ្នា