Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ
2SA1774EBTLQ
Rohm Semiconductor

2SA1774EBTLQ

ចំណែកផ្នែក: 138240

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD2351T106V
Rohm Semiconductor

2SD2351T106V

ចំណែកផ្នែក: 134434

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD1484KT146Q
Rohm Semiconductor

2SD1484KT146Q

ចំណែកផ្នែក: 163479

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 15mA, 150mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC3837KT146P
Rohm Semiconductor

2SC3837KT146P

ចំណែកផ្នែក: 142584

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 4mA, 20mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD1782KT146Q
Rohm Semiconductor

2SD1782KT146Q

ចំណែកផ្នែក: 128110

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5876T106Q
Rohm Semiconductor

2SC5876T106Q

ចំណែកផ្នែក: 106087

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD2142KT146
Rohm Semiconductor

2SD2142KT146

ចំណែកផ្នែក: 190030

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 100µA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD1733TLQ
Rohm Semiconductor

2SD1733TLQ

ចំណែកផ្នែក: 166038

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 20mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD2096T114E
Rohm Semiconductor

2SD2096T114E

ចំណែកផ្នែក: 5306

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5103TLQ
Rohm Semiconductor

2SC5103TLQ

ចំណែកផ្នែក: 174983

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 200mA, 4A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SB1181TLQ
Rohm Semiconductor

2SB1181TLQ

ចំណែកផ្នែក: 165094

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SB1182TLQ
Rohm Semiconductor

2SB1182TLQ

ចំណែកផ្នែក: 141974

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 800mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SA1834TLR
Rohm Semiconductor

2SA1834TLR

ចំណែកផ្នែក: 135227

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 50mA, 4A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SCR522MT2L
Rohm Semiconductor

2SCR522MT2L

ចំណែកផ្នែក: 170078

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SAR523MT2L
Rohm Semiconductor

2SAR523MT2L

ចំណែកផ្នែក: 164360

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SCR523MT2L
Rohm Semiconductor

2SCR523MT2L

ចំណែកផ្នែក: 180372

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SA2029T2LQ
Rohm Semiconductor

2SA2029T2LQ

ចំណែកផ្នែក: 194097

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD1758TLR
Rohm Semiconductor

2SD1758TLR

ចំណែកផ្នែក: 133782

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 32V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 800mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SA1812T100Q
Rohm Semiconductor

2SA1812T100Q

ចំណែកផ្នែក: 5202

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC1740STPQ
Rohm Semiconductor

2SC1740STPQ

ចំណែកផ្នែក: 5224

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD2396K
Rohm Semiconductor

2SD2396K

ចំណែកផ្នែក: 5175

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 800mV @ 50mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD2167T100P
Rohm Semiconductor

2SD2167T100P

ចំណែកផ្នែក: 5142

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 31V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC4620TV2P
Rohm Semiconductor

2SC4620TV2P

ចំណែកផ្នែក: 5168

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5731T100R
Rohm Semiconductor

2SC5731T100R

ចំណែកផ្នែក: 6524

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3904T93
Rohm Semiconductor

2N3904T93

ចំណែកផ្នែក: 5099

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC4081T106Q
Rohm Semiconductor

2SC4081T106Q

ចំណែកផ្នែក: 146549

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC2412KT146Q
Rohm Semiconductor

2SC2412KT146Q

ចំណែកផ្នែក: 160815

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SB1694T106
Rohm Semiconductor

2SB1694T106

ចំណែកផ្នែក: 181482

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 380mV @ 25mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SCR544PT100
Rohm Semiconductor

2SCR544PT100

ចំណែកផ្នែក: 164587

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 50mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SA2094TLQ
Rohm Semiconductor

2SA2094TLQ

ចំណែកផ្នែក: 156308

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5866TLR
Rohm Semiconductor

2SC5866TLR

ចំណែកផ្នែក: 181302

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SCR554PT100
Rohm Semiconductor

2SCR554PT100

ចំណែកផ្នែក: 125519

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 25mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SC5868TLR
Rohm Semiconductor

2SC5868TLR

ចំណែកផ្នែក: 124266

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SD1898T100R
Rohm Semiconductor

2SD1898T100R

ចំណែកផ្នែក: 168859

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 20mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SA1037AKT146R
Rohm Semiconductor

2SA1037AKT146R

ចំណែកផ្នែក: 124683

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2SA1576AT106Q
Rohm Semiconductor

2SA1576AT106Q

ចំណែកផ្នែក: 187444

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា