ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

FDMA1028NZ-F021

ចំណែកផ្នែក: 89

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

NTLUD4C26NTBG

ចំណែកផ្នែក: 107408

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.1A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

NTUD3174NZT5G

ចំណែកផ្នែក: 123413

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 220mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 100µA,

FDMD8240LET40

ចំណែកផ្នែក: 53084

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NTLJD3119CTBG

ចំណែកផ្នែក: 189185

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.6A, 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

NTUD3169CZT5G

ចំណែកផ្នែក: 116437

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 220mA, 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

FQS4900TF

ចំណែកផ្នែក: 117878

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.3A, 300mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 650mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.95V @ 20mA,

NVMFD5C668NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 46

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15.5A (Ta), 68A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 50µA,

FDMS3660AS

ចំណែកផ្នែក: 111729

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

ECH8690-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 156738

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V,

NTMD6N03R2G

ចំណែកផ្នែក: 188884

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ECH8657-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 165958

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 35V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

NVMFD5C466NWFT1G

ចំណែកផ្នែក: 175

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

NTZD3158PT1G

ចំណែកផ្នែក: 177029

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 430mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

FDMS3600AS

ចំណែកផ្នែក: 89370

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

ECH8668-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 150790

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A, 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

NVMD4N03R2G

ចំណែកផ្នែក: 187212

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMA1023PZ-F106

ចំណែកផ្នែក: 63

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

NTMD3P03R2G

ចំណែកផ្នែក: 172029

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.34A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

FDD3510H

ចំណែកផ្នែក: 147680

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, 2.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

FDS6900AS

ចំណែកផ្នែក: 159056

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.9A, 8.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDS6898A

ចំណែកផ្នែក: 128074

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDMB3900AN

ចំណែកផ្នែក: 118545

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDS6875

ចំណែកផ្នែក: 133470

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

MCH6663-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 154760

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.8A, 1.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 1mA,

FDS6912A

ចំណែកផ្នែក: 171009

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMD86100

ចំណែកផ្នែក: 131

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Source, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

NTLLD4951NFTWG

ចំណែកផ្នែក: 61646

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, 6.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

FDS6986AS

ចំណែកផ្នែក: 190163

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, 7.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NVMFD5C446NT1G

ចំណែកផ្នែក: 62

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24A (Ta), 127A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 195236

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 1mA,

FDPC8014S

ចំណែកផ្នែក: 59646

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, 41A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

EFC8822R-X-TF

ចំណែកផ្នែក: 2926

MCH6606-TL-EX

ចំណែកផ្នែក: 3025

NTMFD4901NFT3G

ចំណែកផ្នែក: 74945

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), Schottky, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10.3A, 17.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

NTMFD5C674NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 6527

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 25µA,