ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

FDMS7602S

ចំណែកផ្នែក: 55912

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A, 17A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NVMFD5C674NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 108

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 25µA,

FDPC5030SG

ចំណែកផ្នែក: 68643

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, 25A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMS3604S

ចំណែកផ្នែក: 150402

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 23A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

FDMD8430

ចំណែកផ្នែក: 165

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Source, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A (Ta), 95A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.12 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDS6898AZ

ចំណែកផ្នែក: 148041

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

NVTJD4001NT2G

ចំណែកផ្នែក: 152238

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

NTLJD3115PT1G

ចំណែកផ្នែក: 178911

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

NVMFD5C462NLWFT1G

ចំណែកផ្នែក: 58

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 18A (Ta), 84A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 40µA,

EFC3J018NUZTDG

ចំណែកផ្នែក: 158

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 23A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

NTMFD5C462NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 129

NTGD4167CT1G

ចំណែកផ្នែក: 114403

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.6A, 1.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDMS3664S

ចំណែកផ្នែក: 180120

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 25A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

NTJD1155LT1G

ចំណែកផ្នែក: 149235

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

FDMD8560L

ចំណែកផ្នែក: 41533

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, 93A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 22A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

EFC4C012NLTDG

ចំណែកផ្នែក: 115

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 1mA,

NVMFD5C462NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 139

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 18A (Ta), 84A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 40µA,

FDMS7700S

ចំណែកផ្នែក: 61271

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A, 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ECH8654-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 186362

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

ECH8695R-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 130870

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 24V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

FDMS3606S

ចំណែកផ្នែក: 103403

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 27A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

FW297-TL-2W

ចំណែកផ្នែក: 151817

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 1mA,

FDMS3602AS

ចំណែកផ្នែក: 95320

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, 26A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMC7208S

ចំណែកផ្នែក: 116029

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A, 16A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMS7600AS

ចំណែកផ្នែក: 69548

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A, 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMD8680

ចំណែកផ្នែក: 74712

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 66A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

NVMD6P02R2G

ចំណែកផ្នែក: 115513

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

FDMQ86530L

ចំណែកផ្នែក: 57140

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI4532DY

ចំណែកផ្នែក: 183986

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A, 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NTLUD4C26NTAG

ចំណែកផ្នែក: 108

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.1A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

FDS6930B

ចំណែកផ្នែក: 174209

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDS6990A

ចំណែកផ្នែក: 143253

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 84490

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 197593

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

FDMS8090

ចំណែកផ្នែក: 54867

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

FDPC8014AS

ចំណែកផ្នែក: 56655

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, 40A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,