ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

APTM20DHM20TG

ចំណែកផ្នែក: 2966

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 89A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

ចំណែកផ្នែក: 3311

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

ចំណែកផ្នែក: 2936

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2mA,

APTMC60TLM55CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 222

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (Three Level Inverter), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 48A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

ចំណែកផ្នែក: 166

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 131A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 420

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (Three Level Inverter), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

ចំណែកផ្នែក: 647

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

ចំណែកផ្នែក: 686

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

ចំណែកផ្នែក: 2914

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

ចំណែកផ្នែក: 3376

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

ចំណែកផ្នែក: 2888

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 52A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

ចំណែកផ្នែក: 2940

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

ចំណែកផ្នែក: 2898

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 154A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTML202UM18R010T3AG

ចំណែកផ្នែក: 2939

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 109A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

ចំណែកផ្នែក: 3301

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

ចំណែកផ្នែក: 3350

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 51A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

ចំណែកផ្នែក: 2866

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

ចំណែកផ្នែក: 2896

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 139A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

ចំណែកផ្នែក: 293

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

ចំណែកផ្នែក: 1142

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

ចំណែកផ្នែក: 2917

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

ចំណែកផ្នែក: 2886

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

ចំណែកផ្នែក: 2885

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

ចំណែកផ្នែក: 2935

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

ចំណែកផ្នែក: 2862

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 66A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

ចំណែកផ្នែក: 2932

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

ចំណែកផ្នែក: 1136

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

ចំណែកផ្នែក: 424

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

ចំណែកផ្នែក: 666

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

ចំណែកផ្នែក: 2898

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

ចំណែកផ្នែក: 5403

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

ចំណែកផ្នែក: 2849

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTJC120AM13VCT1AG

ចំណែកផ្នែក: 2840

APTM60A23FT1G

ចំណែកផ្នែក: 2807

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 1mA,

APTM50TDUM65PG

ចំណែកផ្នែក: 3356

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 51A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM50DUM38TG

ចំណែកផ្នែក: 2789

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 90A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,