ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

APTC60TDUM35PG

ចំណែកផ្នែក: 688

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5.4mA,

APTM10AM05FTG

ចំណែកផ្នែក: 820

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 278A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 5mA,

APTC60HM70RT3G

ចំណែកផ្នែក: 1479

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60HM45T1G

ចំណែកផ្នែក: 1300

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTC80TA15PG

ចំណែកផ្នែក: 1022

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2mA,

APTC80H29T3G

ចំណែកផ្នែក: 2362

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 1mA,

APTM50HM75SCTG

ចំណែកផ្នែក: 667

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 46A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTMC120AM20CT1AG

ចំណែកផ្នែក: 173

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 143A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 2mA (Typ),

APTM120A20DG

ចំណែកផ្នែក: 538

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 6mA,

APTC60AM45T1G

ចំណែកផ្នែក: 293

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTMC120TAM34CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 251

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 74A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 15mA,

APTM50DDAM65T3G

ចំណែកផ្នែក: 1269

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 51A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTC60DDAM24T3G

ចំណែកផ្នែក: 1114

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

APTM10DSKM19T3G

ចំណែកផ្នែក: 1965

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 70A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

APTM20AM06SG

ចំណែកផ្នែក: 553

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 300A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 6mA,

APTC60DDAM45T1G

ចំណែកផ្នែក: 1722

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTM100H18FG

ចំណែកផ្នែក: 404

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 43A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

APTM100H35FT3G

ចំណែកផ្នែក: 784

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM20TAM16FPG

ចំណែកផ្នែក: 537

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 104A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM08FTG

ចំណែកផ្នែក: 774

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 208A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

APTC80A15SCTG

ចំណែកផ្នែក: 987

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2mA,

APTM10DHM05G

ចំណែកផ្នែក: 750

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 278A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 5mA,

APTM50HM75STG

ចំណែកផ្នែក: 723

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 46A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM04FG

ចំណែកផ្នែក: 346

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 372A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 10mA,

APTC60AM18SCG

ចំណែកផ្នែក: 415

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 143A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 4mA,

APTM100A13SG

ចំណែកផ្នែក: 445

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 65A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 6mA,

APTM50AM24SG

ចំណែកផ្នែក: 446

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 6mA,

APTMC120AM55CT1AG

ចំណែកផ្នែក: 412

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 55A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTM120H57FTG

ចំណែកផ្នែក: 3119

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM35G

ចំណែកផ្នែក: 3087

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 99A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

APTMC120HRM40CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 3001

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 73A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 12.5mA,

APTC60DSKM45CT1G

ចំណែកផ្នែក: 2944

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTM20DHM16T3G

ចំណែកផ្នែក: 2948

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 104A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM100VDA35T3G

ចំណែកផ្នែក: 3387

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTJC120AM25VCT1AG

ចំណែកផ្នែក: 3378

APTMC120HR11CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 2997

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 26A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 5mA,